Неравновесные эффекты ядерной подсистемы в динамике электронных переходов

• Автор: Ионкин, Владимир Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.17
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Волгоград
• Количество страниц: 125 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
1 Литературный обзор
1.1 Фотоиндуцированный перенос электрона в полярных средах
1.2 Элементарный акт переноса электрона
1.3 Закон энергетической щели
1.4 Неравновесные эффекты в сверхбыстрых реакциях переноса
заряда
2 Рекомбинация зарядов в фотовозбужденных донорно-акцепторных комплексах
2.1 Введение
2.2 Математическая модель
2.3 Учет одной эффективной квантовой моды
2.3.1 Влияние параметра электронной связи на динамику рекомбинации заряда
2.3.2 Роль внутримолекулярных колебаний
2.3.3 Влияние растворителя
2.3.4 Зависимость скорости рекомбинации от свободной энергии в области низкой экзотермичности
2.4 Учет реального спектра высокочастотных колебательных мод

2.4.1 Независимость скорости горячей рекомбинации заряда в фотовозбужденных донорно-акцепторных комплексах от спектральной плотности высокочастотных колебаний
2.5 Выводы
3 Моделирование кинетики рекомбинации зарядов в возбужденных донорно-акцепторных комплексах. Сравнение с экспериментом
3.1 Введение
3.2 Рекомбинация зарядов в фотовозбужденных донорно-акцепторных комплексах с одной полосой поглощения
3.2.1 Модель
3.2.2 Стационарный спектр полосы поглощения с переносом заряда
3.2.3 Результаты численного моделирования динамики рекомбинации зарядов в метил-бензолах
3.3 Модель рекомбинация зарядов в донорно-акцепторных комплексах с двумя полосами поглощения
3.3.1 Математическая модель
3.3.2 Анализ стационарных спектров полос поглощения с переносом заряда
3.3.3 Результаты численного моделирования динамики рекомбинации зарядов в комплексе ТМВ/ТСКЕ
3.4 Выводы
4 Моделирование сверхбыстрого разделения зарядов из второго возбужденного состояния ковалентно связанных цинк-порфирина и имида и последующей горячей рекомбинации

в первое возбужденное состояние
4.1 Введение
4.2 Математическая модель сверхбыстрого переноса заряда из второго возбужденного состояния
4.3 Результаты численного моделирования
4.4 Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ Ю2
ЛИТЕРАТУРА

лась во многих работах [34, 130, 75, 131, 132, 35, 78, 95, 83, 81, 3, 133, 6, 85].
Необходим метод, позволяющий рассчитать динамику рекомбинации заряда в случае с интенсивными электронными переходами при большой вероятности нетермческих электронных переходов. По-видимому лишь стохастический подход [108], обобщенный на случай многоуровневой системы, может быть адаптирован для решения такого типа задач.
Временная динамика системы на поверхностях свободной энергии описывается дифференциальными уравнениями для функций распределения вероятности в основном рд и возбужденном состояниях ре:
где (С$) = 2Ег(квТ — дисперсия г- ой координаты, кв и Т — константа Больцмана и температура соответственно. Связующие слагаемые кп(С2) в дифференциальных уравнениях являются зусмановскими скоростями электронных переходов между возбужденным состоянием и колебательным под-

где Ье, Ьд — операторы Смолуховского, описывающие диффузионную динамику на термах 17е и II, соответственно:
(2.10)
(2.9)