Исследование и разработка радиоактивационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне

• Автор: Вакилова, Гульбахор
• Шифр специальности: 01.04.16
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ташкент
• Количество страниц: 146 c. : ил

1. СОСТОЯНИЕ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1.1. Полупроводниковые материалы и методы их анализа

1.2. Ядерно-физические методы анализа элементного состава полупроводников

1.3. Состояние активационных методов анализа на заряженных частицах

Постановка задачи

2. РАЗРАБОТКА РАДИОАКТЙВАЦИОННЫХ МЕТОДИК АНАЛИЗА КРЕМНИЯ

2.1. Техника эксперимента

2.2. Микроэлементный состав кремния

2.3. Определение концентрации кислорода и углерода

2.4. Распределение элементов по глубине образцов

2.5. Распределение кислорода в кремнии

3. АКТИВАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ЗАРШЕННЫМИ ЧАСТИЦАМИ НА ЦИКЛОТРОНЕ
3.1. Активация протонами и дейтронами
3.2. Активация ионами гелия
3.3. Избирательность радиоактивационного анализа полупроводниковых материалов
3.4. Радиохимические методы анализа полупроводников с выделением
3.5. Инструментальные методы определения элементов в некоторых полупроводниках
3.6. Метрологические характеристики методик анализа
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА
П Р И Л О Ж Е Н И Е I
ПРИЛОЖЕНИЕ

Электронные приборы, широко применяющиеся в технике, изготавливаются легированием чистых полупроводниковых материалов различными химическими элементами. В качестве основного материала при изготовлении таких приборов применяются кремний и германий. В состав полупроводников входят Ж, <5/, к, (п% Ж, 5, а Зе, <7/2, Те.Р, с . Известны сложные полупроводники - карбид кремния, антимониды индия, галлия, алюминия, арсениды и фосфиды галлия, селенид кадмия, сульфиды цинка и свинца, теллурид свинца и т.д.
Совершенство и надежность работы приборов во многом зависят от качества материалов, используемых при их изготовлении. В настоящее время разработаны способы получения полупроводниковых материалов, в которых содержание ряда элементов составляет 10-П %. Концентрации некоторых из них находятся даже на уровне КГ*2 % / I /. Предельно допустимые концентрации средних и тяжелых элементов во многих полупроводниках по техническим условиям не должны превышать 10“6-10“8 % / 2 /, в то время как газообразующих - 10“5-10"7 % / 2-4 /. Очистка полупроводников от кислорода весьма затруднительна. Необходимость контролирования таких низких концентраций примесей предъявляет жесткие требования к чувствительностям используемых методов. Необходима разработка высокочувствительных методов определения содержания примесей и легирующих добавок ( С.и.В.О.Ш. и. Р. Ре, № . Му. Й5 и др.), а также их распределения в готовых приборах. Химические, физико-химические и некоторые физические методы не отвечают этим требованиям, так как их чувствительность обычно находится на уровне 10"3-10“6 % /5, 7-10 /.
Радиоактивационный анализ может способствовать решению

Рис. 2.10. Распределение полной активности по образцу
кремния: I - с равномерным распределением кислорода, 2 - окисленного на воздухе, время ТО - 15 ч, 3 - ТО с плазменной пленкой я на поверхности