Высшие приближения в теории электромагнитных процессов в веществе

• Автор: Сыщенко, Владислав Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.16
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Белгород
• Количество страниц: 207 с.

Глава 1. Процессы когерентного рассеяния и излучения в первом
борновском приближении
1.1. Сечение упругого рассеяния в поле совокупности атомов в первом борновском приближении
1.2. Излучение частицы в кристалле в первом борновском приближении
1.3. Классификация когерентных эффектов в излучении электронов в кристалле в первом борновском приближении
1.4. Тонкая структура спектра когерентного тормозного излучения
Выводы
Глава 2. Вклад второго борновского приближения в процессы упругого
рассеяния и тормозного излучения электронов и позитронов во внешнем поле
2.1. Общие формулы для сечения рассеяния во втором борновском приближении
2.2. Рассеяние в поле атомной цепочки и плоскости с учетом второй борновской поправки
2.3. Сечение тормозного излучения во втором борновском приближении
2.4. Излучение электронов и позитронов в поле кристаллографической оси
и плоскости во втором борновском приближении
Выводы
Глава 3. Квазиклассическое приближение в теории тормозного излучения
3.1. Метод классических траекторий в теории излучения ультрарелятивистских бесспиновых частиц
3.2. Квазиклассическая теория тормозного излучения с учетом
спина электрона
3.3. Связь между квазиклассическим и борновским приближениями

в теории тормозного излучения
Выводы
Глава 4. Влияние динамики электронов высокой энергии в кристалле
на процесс некогерентного тормозного излучения
4.1. Моделирование некогерентного излучения быстрых электронов
в кристалле
4.2. Процедура моделирования траектории быстрой частицы в кристалле
4.3. Ориентационная зависимость интенсивности некогерентного излучения
4.4. Поляризация некогерентного излучения при плоскостном каналировании и надбарьерном движении электронов в кристалле
Выводы
Глава 5. Переходное излучение на неоднородных мишенях
в борновском приближении
5.1. Спектрально-угловая плотность переходного излучения
5.2. Переходное излучение на диэлектрической нити и системе нитей
5.3. Переходное излучение на нитевидной мишени конечной толщины
5.4. Переходное излучение на атомной плоскости в кристалле
5.5. Переходное излучение на полостях в однородной среде
5.6. Связь между переходным и параметрическим (резонансным) излучением быстрой частицы в кристалле
Выводы
Глава 6. Эйкональное приближение в теории переходного излучения
6.1. Спектрально-угловая плотность переходного излучения
в эйкональном приближении
6.2. Переходное излучение в тонком слое вещества
6.3. Сравнение интенсивностей переходного и тормозного излучения
6.4. Переходное излучение на нитевидной мишени в эйкональном приближении
Выводы

Глава 7. Интерференционные эффекты в ионизационных потерях энергии
быстрых частиц в веществе
7.1. Эффект Чудакова и ионизационные потери энергии быстрых
молекул в веществе
7.2. Ионизационные потери энергии заряженной частицы вблизи точки
ее образования
7.3. Влияние диэлектрических свойств среды на ионизационные потери энергии частицы вблизи точки ее образования
Выводы
Заключение
Литература
-50-Глава 2.
Вклад второго борновского приближения в процессы упругого рассеяния и тормозного излучения электронов и позитронов во внешнем поле.
В главе 1 мы видели, что при взаимодействии быстрой частицы с совокупностью периодически расположенных в пространстве атомов и, в частности, с кристаллом, существенными оказываются корреляции между последовательными ее столкновениями с атомами. Это обстоятельство приводит не только к значительному увеличению вкладов в сечения упругого рассеяния и тормозного излучения, связанных с первым борновским приближением, но и к значительному увеличению вклада второго и высших борновских приближений.
В настоящей главе получены вторые борновские поправки к формулам для сечения рассеяния частиц на малые углы и тормозного излучения во внешнем электростатическом поле произвольной структуры. В частности, рассмотрены случаи взаимодействия частиц с полями совокупностей атомов, образующих атомную цепочку и кристаллографическую плоскость.
2.1. Общие формулы для сечения рассеяния во втором борновском приближении.
Вклад второго борновского приближения в сечение упругого рассеяния был найден ранее в общем случае (при рассеянии частиц на произвольные углы) для кулоновского потенциала [146]. Этот результат может быть получен простым путем на основе фейнмановской параметризации входящих в сечение интегралов [176]. Обобщение этого метода на случай рассеяния частиц в веществе, однако, приводит к ряду вычислительных трудностей, связанных с тем, что в рассматриваемом нами случае потенциал, в котором происходит рассеяние, не обладает сферической симметрией. Мы используем