Получение и исследование магнитных свойств аморфных пленок DyCo и пленочных планарных структура (РЗМ-ПМ)/NiFe

• Автор: Яковчук, Виктор Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 108 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. Свойства сплавов РЗМ-ПМ и однонаправленная анизотропия пленочных планарных структур.

1.1. Структура и намагниченность аморфных сплавов РЗМ-ПМ

1.2. Перпендикулярная магнитная анизотропия аморфных сплавов РЗМ-ПМ

1.3. Концентрационные неоднородности аморфных сплавов РЗМ-ПМ

1.4. Однонаправленная анизотропия слоистых структур

1.4.1. Механизм образования однонаправленной анизотропии

1.4.2. Материалы с однонаправленной анизотропией

1.4.3. Тонкие пленки с однонаправленной анизотропией

1.4.4. Перемагничивание пленок с однонаправленной анизотропией

1.4.5. Применение материалов с однонаправленной анизотропией
Постановка задачи
Глава II. Установка, получение пленок БуСо и (РЗМ-ПМ)/№Ге.
2.1. Установка вакуумного получения пленок
2.2. Аморфные пленки БуСо, магнитные свойства, однородность
2.3. Перемагничивание аморфных пленок ОухСоі_х в положительной области температур
2.3.1. Перемагничивание аморфных пленок ЭухСо]_х параллельно ОЛН
2.3.2. Перемагничивание аморфных пленок БухСоі.х перпендикулярно ОЛН
2.4. Электронная микроскопия и магнитный контраст аморфных пленок

ЦухСоьх
2.5. Кривые перемагничивания аморфных пленок ОухСо|_х в области низких температур
2.6. Ферримагнитный резонанс и ориентационные переходы в аморфных пленках БухС01.х
ГЛАВА III. Однонаправленная анизотропия в пленочных планарных структурах (РЗМ-ПМ)/№Ге.
3.1. Получение пленочных планарных структур (РЗМ-ПМ)/№Тс
3.2. Угловые зависимости и квазистатическое перемагничивание пленочных планарных структур БуСо/МБе
3.3. Квазистатические исследования магнитных свойств пленочных планарных структур (РЗМ-ПМ)/№Ре
3.4. Температурные исследования магнитных свойств пленочных планарных структур (РЗМ-ПМ)/Л1Ре
3.5. Термодинамические предпосылки нанофазного расслоения аморфных пленок ЭуСо
3.6. Образование однонаправленной анизотропии в пленочных планарных структурах БуСо/ЬЮе
Глава IV. Динамические магнитные свойства пленочных планарных структур ОухСО|_х/1ПРе и NИе/БухСо, _Х/Ы 1Ге.
4.1. ФМР и СВР двухслойных пленочных планарных
структур ОуодСоод/Л^вРеод И Вуо^Соодз/Л^вРеод
4.2. ФМР и СВР трехслойных пленочных планарных структур
№о,8 Гео12/ОухСо, -х/И 10;8Р еод
4.3. Исследование магнитных неоднородностей аморфного слоя БуСо
Приложение 1.
Преобразователь акустических волн (Линия задержки)
Приложение 2.
Датчик слабого магнитного поля
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Используя варьирование основных технологических параметров можно в широких пределах изменять степень дисперсности получаемых образцов от аморфного до нанокристаллического и поликристаллического состояния.
Контроль однородности образцов по площади проводился методом рентгеновского флюоресцентного анализа на установке СПАРК-1. Максимальный разброс по содержанию редкоземельной компоненты составлял ±1,5 ат.%. Следует отметить, что данный анализ не дает информации о химической связи компонентов пленок, т.к. не дает учета взаимодействия редкоземельного элемента с кислородом вследствие довольно высокой окислительной способности РЗМ-элементов. Концентрационный профиль получаемых пленок был снят на Оже-спектрометре ЬА8-2000 с шагом травления 5 нм (рис.9,а,б). Эти данные говорят о сравнительно хорошей однородности образцов по составу сплава в основном объеме пленки, в то время как приподложечный и приповерхностный слои выключаются из магнитоактивного состояния пленки. В то же время следует отметить, что чисто аморфное ферримагнитное состояние подразумевает изотропность параметров (намагниченность, обмен, анизотропия). В реальном же случае в аморфном ферримагнетике всегда существует концентрационная неоднородность на локальном уровне, приводящая к структурным изменениям и связанных с ним флуктуациями по магнитным параметрам. Преобладание одной из подрешеток (РЗМ-элемента или ПМ-элемента) и связанная с ними дисперсия магнитных свойств может приводить к магнитной нанофазности системы, как на локальном уровне, так и всей системы в целом, что не исключает однородность свойств на интегральном уровне. Это, прежде всего наиболее ярко будет проявляться в области магнитной компенсации, где даже незначительные флуктуации концентрации при росте пленки будут приводить к образованию локальных магнитных областей докомпенсационного и послекомпенсаци-онного составов (см. рис.8).
Кривые распределения элементов Эу, Со, С и О показывают большое содержание кислорода в поверхностном и приподложечном слое. В объеме пле-