Исследование магнитосопротивления в сульфидах марганца

• Автор: Романова, Оксана Борисовна
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 118 с. : ил

Содержание работы

Введение
Глава 1. Колоссальное магнитосопротивление (КМС) в магнитных полупроводниках (литературный обзор)

1.1 Магнитосопротивление и эффект КМС

1.2 Эффект КМС в ферромагнитных тонкопленочных структурах

1.3 Эффект КМС в магнитных полупроводниках

1.3.1 Концентрационные переходы антиферромагнитный

диэлектрик- ферромагнитный металл в системах с КМС

1.3.2 Магнитная двухфазность соединений с КМС

1.4 Оптические и магнитооптические свойства соединений с КМС

1.5 Механизмы КМС

1.5.1 Механизм спин - поляризованного переноса носителей
1.5.2 Разделение фаз
1.5.2.1 Электронное разделение фаз
1.5.2.2 Магнитопримесное разделение фаз
1.6 Техническое применение соединений с эффектом КМС
1.7 Постановка задачи исследования
Глава 2. Технология получения образцов и экспериментальные методы исследования
2.1 Технология получения образцов
2.2 Аттестация образцов методом рентгеноструктурного анализа и
нейтронографии
2.3 Электрические и гальваномагнитные измерения
2.4 Магнитные измерения
2.5 Оптические измерения
Глава 3. Физические свойства монокристалла моносульфида марганца
3.1 Особенности кристаллической структуры моносульфида
марганца а - МпБ
3.2 Оптические свойства моносульфида марганца а - МпБ
3.3 Электрические свойства моносульфида марганца а - МпБ
3.4 Магнитные свойства моносульфида марганца а - МпБ
3.5 Магнитоэлектрические свойства моносульфида марганца а - Мп8
Выводы
Глава 4. Колоссальное магнитосопротивление в сульфидных системах MexMni.xS (Ме= Cr, Fe)
4.1 Кристаллическая структура твердых растворов CrxMni_xS (Х-0.5) и
FexMni.xS (0<Х<0.5)
4.2 Магнитоэлектрические свойства образцов CrxMni_xS
4.3 Электросопротивление сульфидов системы FexMni.xS
4.4 Магнитные свойства твердых растворов FexMni.xS
4.5 Магнитосопротивление и эффект КМС системы FexMni_xS
4.6 Эффект Холла в твердых растворах FexMn!_xS
4.7 Нейтронографические исследования твердых растворов FexMni.xS
Выводы
Обсуждение результатов
Заключение
Список литературы

Введение
Актуальность темы. Одной из новых и нерешенных проблем физики твердого тела и магнетизма является проблема колоссального магнитосопротивления (КМС) в магнитных полупроводниках. Эффект колоссального отрицательного магнитосопротивления, высокотемпературная сверхпроводимость, переход металл-диэлектрик - это грани одной общей фундаментальной проблемы -физики сильно коррелированных электронных систем. Сложность этой проблемы обуславливает необходимость использования практически всех известных на настоящий момент методов исследования кристаллов — от магнитоэлектрических до резонансных, оптических, нейтронографических методов.
С точки зрения технических приложений использование эффекта
колоссального магнитосопротивления - это не просто усовершенствование уже
существующих компьютерных и полупроводниковых технологий. Это создание принципиально новых элементов оперативной компьютерной памяти,
использование которых приведет к существенному снижению энергозатрат и энергонезависимости не только компьютеров, но и таких устройств, как сотовые телефоны, электронные органайзеры, цифровые камеры и пр. Согласно прогнозам, промышленное производство памяти нового типа, разработанной на основе тонкопленочных ферромагнитных структур с эффектом КМС, начнется уже к 2004 году.
В отличие от пленочных ферромагнитных структур, которые
представляют собой искусственное создание магнитной и электронной неоднородности и требуют сложной технологии получения, в магнитных полупроводниках эффект КМС является внутренним свойством кристалла. Изменение величины электросопротивления под действием магнитного ПОЛЯ в магнитных полупроводниках достигает значительных величин. Например, в легированном антиферромагнитном (АФ) селениде европия при гелиевой

Рис. 2.3.4. Схема экспериментальной установки
1. Криостат
2. Вакуумная вставка
3. Образец
4. Магнит
5. Потенциометр Р
6. Автокомпенсатор блок АК
7. Стабилизатор напряжения постоянного тока П
8. Фотоусилитель Ф305.
9. Универсальный вольтметр В7-21 А Ю.Источник питания ТЭС
11. Вольтметр В
12.Тераомметр Е6-13А