Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Канджури Фарамарз
01.04.11
Кандидатская
2004
Москва
81 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
1 Литературный обзор
2 Резонансное туннелирование через спин-вентильную структуру, заключенную между двумя барьерами
2.1 Теоретическая модель
2.2 Обсуждение результатов и выводы
3 Пространственное распределение туннельного тока и ТМС в присутствии внутри барьерной примеси
3.1 Неравновесная техника Келдыша
3.1.1 Отношение между разными Неравновесными функциям Грина
3.2 Постановка задачи
3.2.1 Расчет волновых функций системы и туннельного тока в отсутствие примесей
3.2.2 Решение уравнения Дайсона для возмущенной функции Грина и вычисление туннельного тока
4 Вольт-амперная характеристика туннельной структуры с внедренным слоем примесей
4.1 Приближение когерентного потенциала
4.1.1 Вывод уравнений метода когерентного потенциала
4.1.2 уравнение Дайсона для неравновесных функции Грина
4.2 Постановка задачи
Заключение Список литературы
Прорыв в области нанотехнологий, произошедший в последнее десятилетие, а также все возрастающие требования к плотности записи информации послужили импульсом для развития новой области физики твердого тела - спинтроники. Особенность этой области обычной электроники заключается в том, что спин электрона наряду с его зарядом представляет собой активный элемент как для хранения, так и для передачи информации [1]. Устройства, в которых используется спин электрона, могут в значительной степени вытеснить или дополнить различные традиционные электронные устройства.
Более того, спинтроника имеет хорошие перспективы в новых областях, а именно, в квантовых вычислениях и для квантовой передачи информации. Основой для создания новых элементов спинтроники являются два эффекта - эффект Гигантского Магнитосопротивления (ГМС) и Туннельного Магнитосопротивления (ТМС). В обоих случаях используются многослойные структуры с размерами порядка нанометров, через которые пропускается поляризованный по спину и управляемый магнитным полем ток. Естественным источником спин-поляризованного тока могут являться ферромагнитные металлы 3е? группы, такие как Ее, Со и N1 , в которых проводимость имеет двухзонный характер, а основным механизмом рассеяния является рассеяние в электронов в (I зону. При этом сечение рассеяния пропорционально плотности состояний е? электронов, которая вследствие обменного расщепления оказывается суи(р,2=10)
Р(А)
Рис. 3.3: Пространственное распределение тока внутри барьера вблизи правого интерфейса. Параметры те же, что на рис. 3.2.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Магнитная анизотропия и магнитные фазовые переходы в интерметаллидах типа R2Fe17,Nd2Fe14BHx и RMn6Sn6 | Терентьев, Павел Борисович | 2013 |
Физическое обоснование и реализация методов направленного воздействия на функциональные свойства магнитомягких аморфных и нанокристаллических материалов | Потапов, Анатолий Павлович | 2008 |
Магнитные и резонансные свойства пленочных структур в системе пермаллой-висмут | Яриков, Станислав Алексеевич | 2019 |