Резонансное туннелирование в магнитных наногетероструктурах

• Автор: Канджури Фарамарз
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 81 с. : ил.

1 Литературный обзор

2 Резонансное туннелирование через спин-вентильную структуру, заключенную между двумя барьерами

2.1 Теоретическая модель

2.2 Обсуждение результатов и выводы

3 Пространственное распределение туннельного тока и ТМС в присутствии внутри барьерной примеси

3.1 Неравновесная техника Келдыша

3.1.1 Отношение между разными Неравновесными функциям Грина

3.2 Постановка задачи

3.2.1 Расчет волновых функций системы и туннельного тока в отсутствие примесей

3.2.2 Решение уравнения Дайсона для возмущенной функции Грина и вычисление туннельного тока

4 Вольт-амперная характеристика туннельной структуры с внедренным слоем примесей

4.1 Приближение когерентного потенциала
4.1.1 Вывод уравнений метода когерентного потенциала
4.1.2 уравнение Дайсона для неравновесных функции Грина
4.2 Постановка задачи
Заключение Список литературы

Прорыв в области нанотехнологий, произошедший в последнее десятилетие, а также все возрастающие требования к плотности записи информации послужили импульсом для развития новой области физики твердого тела - спинтроники. Особенность этой области обычной электроники заключается в том, что спин электрона наряду с его зарядом представляет собой активный элемент как для хранения, так и для передачи информации [1]. Устройства, в которых используется спин электрона, могут в значительной степени вытеснить или дополнить различные традиционные электронные устройства.
Более того, спинтроника имеет хорошие перспективы в новых областях, а именно, в квантовых вычислениях и для квантовой передачи информации. Основой для создания новых элементов спинтроники являются два эффекта - эффект Гигантского Магнитосопротивления (ГМС) и Туннельного Магнитосопротивления (ТМС). В обоих случаях используются многослойные структуры с размерами порядка нанометров, через которые пропускается поляризованный по спину и управляемый магнитным полем ток. Естественным источником спин-поляризованного тока могут являться ферромагнитные металлы 3е? группы, такие как Ее, Со и N1 , в которых проводимость имеет двухзонный характер, а основным механизмом рассеяния является рассеяние в электронов в (I зону. При этом сечение рассеяния пропорционально плотности состояний е? электронов, которая вследствие обменного расщепления оказывается суи(р,2=10)

Р(А)
Рис. 3.3: Пространственное распределение тока внутри барьера вблизи правого интерфейса. Параметры те же, что на рис. 3.2.