Исследование магнитных и магнитоупругих свойств при спонтанных и индуцированных магнитным полем фазовых переходах в монокристаллах редкоземельных манганитов

• Автор: Камилов, Камил Ибрагимханович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 169 с. : ил.

Глава 1. Общие представления о структуре и магнитных взаимодействиях в редкоземельных манганитах составов хАхМпОз

§1 Кристаллическая и магнитная симметрия незамещенных манганитов

§2 Роль допирования в редкоземельных манганитах. Магнитные Т-х фазовые диаграммы 111_хАхМпОз

§3 Кинетические свойства и эффект колоссального магнитосопротивления манганитов

Глава 2 Образцы и экспериментальные методики.

Глава 3.Исследование магнитных и структурных фазовых переходов в монокристаллах Ьа1.хАхМпОз (А- Бг2+, Са2+) (х=0 - 1).
§1 Изучение магнитных и магнитоупругих свойств монокристаллов Ьа1.х8гхМпОз (х<0.25) при спонтанных и индуцированных магнитным полем фазовых переходах.
§2 Исследование магнитных и магнитоупругих свойств электронно допированных монокристаллов Ьа1.хАхМпОз (0.5<х<0.8).
Глава 4. Изучение структуры и индуцированных магнитным полем фазовых переходов в монокристаллах Ш1-хАхМпОз (А - Бг, Са). Введение
§1 Изучение магнитных и магнитоупругих свойств системы ШрхСахМпОз при индуцированных магнитным полем фазовых
§2 Изучение природы индуцированного магнитным полем фазового перехода в Иф^Зго^МпОз и Иф^Зго^МпОз.
Глава 5.Исследование аномалий магнитных и магнитоупругих свойств при фазовых переходах монокристаллов манганитов самария и празеодима.
§1 Изучение магнитной структуры и фазовых переходов, связанных с подавлением магнитным полем антиферромагнитного и зарядового упорядочения в монокристаллах 8т1.х8гхМпОз:
§2 Исследование индуцированных сильным магнитным полем фазовых переходов металл-изолятор в Рго.бСаолМпОз и переходах.
Выводы
Литература

В последние несколько лет к исследованию замещенных оксидов марганца системы КьхАхМпОз (где II- редкоземельный ион, А2+- ионы 8г2+, Са2+ проявляется огромный интерес, который в первую очередь обусловлен. обнаружением в них эффекта колоссального магнитосопротивления [1]. Эффект колоссального магнитосопротивления интересен сам по себе и может быть использован в технике магнитной записи, а также при изготовлении сенсоров. Проводимые исследования выявили ряд новых и интересных явлений в этих материалах, связанных с локализацией носителей тока и зарядовым упорядочением ионов Мп3+/Мп4+, орбитальным упорядочением ионов Мп3+, а также индуцированными магнитным полем. магнитными и структурными фазовыми переходами и фазовыми переходами типа полупроводник - металл [ 1 ].
Механизм этих явлений связан с одной стороны с появлением сильного ферромагнитного обменного взаимодействия, которое возникает при легировании кристалла двухвалентными ионами Бг , Са2+ (двойной обмен Зиннера [2]). С другой стороны, как показали недавние теоретические исследования [3,4], важную роль здесь играют искажения кристаллической решетки, обусловленные эффектом Яна - Теллера на ионах Мп3+ и образованием магнитных поляронных состояний, а также структурные неоднородности, связанные с замещением редкоземельного иона на двухвалентный Бг2+, Са2+ ион. Изменяя концентрации и тип замещающих ионов можно менять соотношение двойного обмена и сверхобмена, и таким образом значительно изменять свойства манганитов. Исследования такого влияния замещения является одной из важнейших задач в области редкоземельных манганитов. Такого рода исследования представляют интерес, так как это позволит создать более четкую картину физики
і АВТОКОМПЕНСАТОР
І И ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА
БЛОК ИЗМЕРЕНИЯ И РЕГУЛИРОВКИ ТЕМПЕРАТУРЫ
БЛОК УПРАВЛЕНИЯ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ
Рис. 18 схематическое устройство установки кривых вращающих моментов
Образец
Рис 19 Схема измерения теплоемкости