Энергетический спектр узкозонных многокомпонентных твердых растворов на основе халькогенидов свинца - олова /PbSnTe, PbSnSe и др./

• Автор: Сазонов, Андрей Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 121 c. : ил

-2~

Глава I- Проблемы теории зонного спектра►соединений А В II § І.І. ^.-Р —метод и численные раенеты из первых
принципов

§ 1.2. Модель Волкова - Панкратова / р - модель

§ І.З.. Развитие р - модели да детального описания зонного спектра. Основные результаты, диссертационной
работы
Глава II. Теория электронного спектра полупроводников группы А^6 в окрестности краев зон

§ 2.1. Диэлектризация спектра., Энергетические уровни в

точке 1~
§ 2.2. Электронный спектр у краев зон. Эффективные массы.. .36 § 2.3. Физический смысл и численные значения параметров
р -модели
§ 2.4. Спиновое расщепление в магнитном поле
Глава I., Зонная структура в широком энергетическом интервале
§ 3.1. Структура валентной зоны в соединениях. А^В6
§ 3.2. Энергетические уровни в точках. И
§ 3.3. Эффективные, массы: и $ - факторы, второй валентной зоны
§ 3.4. Расчет электронного спектра во всей зоне Бриллюэ—
на на примере РёТе . Зонная структура Р^Ро
Глава ІУ. Многокомпонентные твердые растворы на основе
соединений А4В6

§ 4*1* Зависимость параметров энергетического спектра
от состава тройных: твердых растворов ...***..****...82 § 4.2* Энергетический спектр четверных твердых растворов **93 § 4.3* Применение; полупроводниковых материалов
в Ж технике *»..*..**• *»*.»***..*
Заключение »**»»».****
Приложение
Литература ..*.*
Актуальность темы. Полупроводники группы А^В6 и многокомпонентные. твердые, растворы на их основе /Р&8пТе ,Р68п8е ,Р&5п^е, р£Те£еЗ и др./ представляют большой интерес, как с практической, так и с научной, точек зрения. В настоящее время хаяькогени— ды свинца - олова широко используются для изготовления ИК фотоприемников /фотосопротивлений, фотодиодов/, перестраиваемых лазеров, излучающих в широком Ж диапазоне /3 +- 30 мкм/, а также термоэлектрических приборов.
История применения соединений. А^ в качества приемников ИК излучения началась в сороковых годах, когда на основе Р65, а затем Р§5е были изготовлены фотосопротивления /поликристаллические пленки/. В настоящее время на соединениях А^В6 наряду с фотосо— противлениями созданы фотодиоды, которые по своим характеристикам способны конкурировать с фотодиодами на &/НуТе,
Соединения А^В6 и твердые растворы, на их основе являются уникальными материалами для создания перестраиваемых, лазеров, излучающих в дальней. Ж области спектра. Изменяя состав твердых растворов, например Рб^Зг^ТеСЗе) , удается получить излучение в диапазоне 3 * 30 мкм. Диодные лазеры на этих материалах успешно применяются, в сверхтонкой газовой спектроскопии, в молекулярной спектроскопии, при исследованиях атмосферы, для контроля за загрязнением окружающей среды, в системах, контроля лазерной технологии разделения, изотопов.
Существует ряд научных, проблем, решение которых необходимо для дальнейшего расширения.технического применения узкозонных полупроводников на основе. А^В®. Так, например, остается открытым вопрос о числе, различных типов носителей, участвующих в кинетических явлениях в Р83лТ
Рис*2.9. Зависимость интегралов перекрытия £о, от периода решетки соединений А4В®.
Рис.2.10. Зависимость параметров СО смешивания $± ат отношения Мі;/А± .Стрелками показаны значения для халькогенидов свинца /табл.2.1/. Для соединений с легкими компонентами