Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
- Автор:
Шаронова, Лариса Васильевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
169 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние ян-теллеровских ионов на электронные и упругие свойства электро- и магнитоупорядоченных оксидов металлов | Семенников Антон Владимирович | 2017 |
| Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем | Милёхин, Александр Германович | 2007 |
| Фотоинжекция водорода в твердых телах | Гаврилюк, Александр Иванович | 2002 |