Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi

• Автор: Шаронова, Лариса Васильевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 169 c. : ил

ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
1.1. Основные определения
1.2. Зонная диаграмма гетероперехода (Ш)
1.3. Пограничные состояния (ПС) в гетеропереходах (ГП)
1.4. Гетеропереходы (ГП) £оР- 51
1.5. Гетеропереходы (ГП) (лО-АБ-Бь
1.6. Гетероперехода (ГП)
1.7. Выводы
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Сведения о полупроводниках: 31,
(эйАЗ, баР, |5- Б1С
2.2. Технологий гетероструктур
2.3. Подготовка образцов к измерениям

2.4. Особенности измерительных методик
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
3.1. Основные теоретические модели
3.2. Результаты эксперимента (ВАХ и В$Х)
3.3. Анализ эксперимента
3.3.1. Механизм тока в гетероструктурах
п-&0(Р/р-91-1 и Г1-£йАй/р-&
3.3.2. Зонные диаграммы гетеропереходов (ГП)
п.-6а/и-р-$1 и и-баР-р-Зь
3.4. Выводы

ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
4.1. Общие представления
4.2. Спектральные характеристики гетероструктур п-р-№/р-$ї и п-р-№-(Щур-9і
4.3. Фотоэлектрические явления в гетеропереходах (гп)ййАфі и £яР/&
4.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ
0. - постоянная решетки А - параметр рассогласования решеток Т - температура Тп - температура подложки 1Гр - скорость роста слоя
сЦ>— термический коэффициент линейного расширения
6 - заряд электрона
к - постоянная Больцмана
"К - постоянная Планка,
£0- диэлектрическая проницаемость вакуума
8 - статическая диэлектрическая проницаемость, £ = £г£0
£р- относительная статическая диэлектрическая проницаемость
^ - функция распределения Ферми Е - энергия
р- энергия (уровень) Ферми
Д ж р
Е*г приведенная энергия Ферми 1 уу
зона проводимости
Е - валентная зона
А Ег разрыв энергии в зоне проводимости (
АЕу- разрыв энергии в валентной зоне
- ширина запрещенной зоны
энергия ионизации акцепторной примеси
электронное сродство
потенциал ионизации
ГПр — масса электрона
|Т1 - эффективная масса носителя заряда *
- функция заполнения пограничных состояний

Таблига 2.2.
Технологические режимы и параметры гетероструктур
баР/5І
Тип гетероструктуры ш струк- туры Подложка Раст- во- ри- тель тп ,°0 Параметры пленок
0І, мкм & Й-£, Псм
баР/ги (ИЖЭ) СІ 02 УІ 72 76 Д-2 ІХ-3 Н-4 Д-5 Д-6 КДБ-ІО КДБ-10 ЮТ-4,5 (100) КДБ-10(100) КДБ-Ю (100) КДБ-10 (ПО) КДБ-10 (Ш) КДБ-10 (ПО) КДБ-10(100) КДБ-10(III) 6а 6а бо- ба ба 6а ба РМа РШ 60041*800 300 , 300 300 500 400 400 400 400 400 од од 0,2 0,2 0,2 ОД ОД од од од 48 80 45 97 47 49 53 50 8,0-Ю17 1,6 ДО17 5 * Ю19 1,5.10і9 5,2-Ю19 1,5 ДО19 1,8 ДО19 ЗДДО19
&ар/$ы т Мб 1 М7 МІЗ В56 В63, КДБ-10 (Ш) За 800- 850 2-3 30- -40 5.10ол- _10^0