Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур
- Автор:
Номоконов, Дмитрий Владиленович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование распределения зарядов и электрических полей в приборных наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии | Алексеев, Прохор Анатольевич | 2013 |
| Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии | Хельцер, Гисберт | 1984 |
| Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала | Карташова, Анна Петровна | 2010 |