Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Автор:
Аскинази, Анатолий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
189 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия | Трифонов, Олег Александрович | 2006 |
| Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек | Дмитриев, Иван Александрович | 2002 |
| Электронный транспорт в HgTe квантовых ямах с линейным и параболическим законом дисперсии | Добрецова, Алёна Александровна | 2019 |