Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Автор:
Аскинази, Анатолий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
189 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe | Шахмин, Алексей Александрович | 2011 |
| Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния | Дукин, Александр Анатольевич | 2005 |
| Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV | Бойко, Андрей Михайлович | 2007 |