Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Автор:
Аскинази, Анатолий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
189 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии», автор — Аскинази, Анатолий Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2004 году. Объем работы: 189 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002770230. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3 | Номери Мохамед Абасс Хадия | 2011 |
| Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками | Чербунин, Роман Викторович | 2010 |
| Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур | Корнилович, Александр Антонович | 2002 |