Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Автор:
Аскинази, Анатолий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
189 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах | Махмудиан Махмуд Максуд | 2003 |
| Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур | Соломонов, Александр Васильевич | 1999 |
| Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит | Шевченко, Ольга Юрьевна | 2005 |