Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии
- Автор:
Аскинази, Анатолий Юрьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
189 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии», автор — Аскинази, Анатолий Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2004 году. Объем работы: 189 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002770230. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs | Черкашин, Николай Анатольевич | 2002 |
| Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии | Максимов, Александр Иванович | 2005 |
| Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина | Димитриев, Григорий Семенович | 2018 |