Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии

• Автор: Аскинази, Анатолий Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 189 с. : ил.

Глава 1. Дефекты и основные механизмы дефектообразования ^ в структурах БІ-БіСЬ
1.1. Строение термически полученного окисного слоя на поверхности кремния
1.2. Основные дефекты в слоях двуокиси кремния на кремнии
1.3. Дефектообразование в структурах Бі-БіОг 1В
Глава 2. Методика эксперимента
2.1. Используемые образцы
2.2. Экспериментальные методы исследования
2.2.1. Особенности системы электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДП)
2.2.2. Измерение ВЧ вольтфарадных характеристик (ВФХ)
системы 8і-8Ю2-злектролит
2.2.3. Метод полевых циклов
2.2.4. Метод послойного стравливания
2.2.5. Метод кинетик тока
2.2.6. Метод электролюминесценции
Выводы к главе 2
Глава 3. Зарядовая стабилизация в структурах, полученных с
помощью ионной имплантации
3.1. Процессы дефектообразования при ионной имплантации
3.2. Зарядовое состояние структур 8і-8і02, подвергнутых имплантации ионами аргона

3.2.1. Изменение зарядового состояния структур Бі-БІСЬ первого типа в результате ИИ
3.2.2. Пространственное распределение зарядов, образующихся в результате ИИ в структурах первого типа
3.2.3. Влияние БТО на зарядовое состояние структур первого типа, подвергнутых ИИ
3.2.4. Изменение зарядового состояния структур Бі-БіСЬ второго типа в результате ИИ и БТО
3.2.5. Итоги изучения изменений зарядового состояния структур Бі-БЮ2 в результате ИИ аргона
3.3. Влияние менее энергетичных воздействий на электронные процессы в ионно-имплантированных аргоном структурах БІ-БЮ2
3.3.1. Влияние БУФ-облучения на зарядовое состояние ионно-имплантированных аргоном структур Бі-БЮ2
3.3.2. Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных Аг структур Бі-БЮ?
3.3.3. Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных Аг структур второго типа
3.4. Зарядовое состояние структуры Бі-Бі02, ионно-имплантированных кремнием
3.5. Зарядовое состояние структур Бі-Бі02, полученных по технологии БІМОХ
3.6. Электролюминесценция структур Бі-Бі02, полученных с помощью ионной имплантации
3.6.1. Электролюминесценция структур Бі-Бі02,
имплантированных ионами аргона
3.6.2. Электролюминесценция структур Бі-Бі02,
имплантированных ионами кремния

3.6.3. Электролюминесценция БІ МОХ-структу р Бі^іСЬ Выводы к главе З
Глава 4. Эффекты зарядовой компенсации в структурах 8і-8і02 после низкоэнергетичных внешних воздействий
4.1. Зарядовая компенсация в структурах Бі-ЗіОг в ^ экстремальных электрических ПОЛЯХ
4.2. Зарядовое состояние структур Бі-ЗіОг после ВУФ-облучения
4.3. Зарядовая компенсация в структурах, полученных термическим окислением кремния с изовалентно замещенным германием (ЗгОе-БЮг)
4.4. Зарядовая компенсация в структурах Бі-БіОг, с толщиной окисного слоя менее 45 нм
4.5. Особенности ЭЛ структур Бі-БіСЬ в условиях реализации эффекта зарядовой компенсации
Выводы к главе
Глава 5. Механизмы зарядовой стабилизации и природа образующихся ЭАЦ
5.1. Предварительные замечания о механизмах зарядовой стабилизации
5.2. Формирование зарядового состояния структур Бі-БіОг в результате ИИ Аг
5.3. Формирование зарядового состояния структур Бі-БіСЬ в результате ИИ Бі
5.4. Формирование зарядового состояния 81МОХ-структур
5.5. Зарядовая компенсация в структурах ,8і-8і02 после воздействия экстремально сильных электрических полей
5.6. Эффекты зарядовой компенсации при ВУФ-облучении ** структур Бі-БіОг

Рис. 3.5. Зависимость интегральной плотности ПС от температуры БТО: 1 - исходная; 2 - П=1013см"2; 3 - 1)=1014см‘2.
эВ'1см'2
Рис. 3.6. Изменение спектра ПС в результате БТО 500°С.
1 - без отжига 1' - после отжига

2 - без отжига 2' - после отжига
} 0