Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Автор:
Шевченко, Ольга Юрьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит», автор — Шевченко, Ольга Юрьевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2005 году. Объем работы: 215 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002869842. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов | Доненко, Екатерина Геннадьевна | 2009 |
| Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе | Петров, Анатолий Арсеньевич | 2008 |
| Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O) | Терещенко, Олег Евгеньевич | 1999 |