Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Автор:
Шевченко, Ольга Юрьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии | Санчищин, Дмитрий Владимирович | 2004 |
| Структурные и оптические характеристики эпитаксиальных пятикомпонентных твердых растворов в гетероструктурах на A3B5 | Терновая, Вера Евгеньевна | 2013 |
| Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках | Эмиров, Юсуф Нурмагомедович | 2001 |