Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
- Автор:
Шевченко, Ольга Юрьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs | Дижур, Сергей Евгеньевич | 2006 |
| Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении | Зарецкий, Сергей Николаевич | 1998 |
| Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле | Сучалкин, Сергей Дорианович | 1998 |