+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования

  • Автор:

    Грудинкин, Сергей Александрович

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2002

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    147 с. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Содержание
Введение
Глава I. Газофазное осаждение алмазных плёнок
(обзор литературы)
§1.1. Свойства монокристаллического алмаза и алмазных плёнок
§ 1.2. Методы получения алмазных плёнок
§ 1.2.1. Основы метода газофазного.осаждения
§ 1.2.2. Метод термического газофазного осаждения
§ 1.2.3. Метод плазменного газофазного осаждения
§ 1.3. Зародышеобразование алмаза при газофазном осаждениии
§ 1.3.1. Механизм зародышеобразсвания в газовой фазе
§ 1.3.2. Механизм зародышеобразования на поверхности подложки
§ 1.3.3. Влияние материала подложки
на механизм зародышеобразования
§ 1.3.4. Методы предварительной обработки подложки
§ 1.3.5. Использование наноалмазных частиц
для создания центров зародышеобразования алмаза
Постановка задачи
Глава II. Технология получения алмазных плёнок методом
термического газофазного осаждения
§2.1. Конструкция установки термического
газофазного осаждения
§ 2.2. Методика эксперимента по росту алмазных плёнок
методом термического газофазного осаждения

Глава III. Рост алмазных плёнок на кристаллическом
кремнии методом термического газофазного осаждения
§3.1. Механизм гомоэпитаксиального роста алмазной плёнки
при термическом газофазном осаждении
§ 3.2. Получение алмазных плёнок с высоким содержанием
алмазной фазы на кремнии
§ 3.2.1. Начальные стадии роста алмазной плёнки
на шлифованном кремнии
§ 3.2.2. Нахождение параметров процесса термического
газофазного осаждения, соответствующих наибольшему
содержанию в плёнке алмазной фазы
§ 3.3. Начальные стадии роста островковых алмазных плёнок
на кристаллическом кремнии
Глава IV. Рост алмазных плёнок методом термического газофазного
осаждения с использованием нанокластеров ультрадисперсного
алмаза в качестве центров зародышеобразования
§ 4.1. Получение ультрадисперсного алмаза: структура и
физические свойства
§ 4.2. Начальные стадии роста алмазных плёнок методом термического газофазного осаждения с использованием нанокластеров
ультрадисперсного алмаза
§ 4.2.1. Создание центров зародышеобразования алмаза
с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза
§ 4.2.2. Начальные стадии роста алмазной плёнки на нанокластерах
ультрадисперсного алмаза

§ 4.3. Рост алмазных плёнок на различных неалмазных подложках с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза
в качестве центров зародышеобразования
§ 4.4. Рост алмазных плёнок при низких температурах подложки
Глава V. Исследование структурных и оптических свойств алмазных
плёнок
§5.1. Исследование структурных свойств алмазных плёнок
методом рентгеновской дифрактометрии
§ 5.1.1. Влияния параметров процесса термического газофазного осаждения на структурные свойства алмазных плёнок
на кремнии
§ 5.1.2. Структурные свойства алмазных плёнок,
выращенных с использованием нанокластеров ультрадисперсного
алмаза в качестве центров зародышеобразования
§ 5.2. Исследование фазового состава приповерхностной области
алмазных плёнок
§ 5.3. Оптические свойства алмазных плёнок
§ 5.3.1. Пропускания и отражения алмазных плёнок,
полученных при низких температурах подложки
§ 5.3.2. Фотолюминесценции алмазных плёнок, выращенных
на кремниевой и кварцевой подложках
§ 5.3.3. Исследование структурных дефектов и примесей в алмазных
плёнках методом катодолюминесценции
Основные результаты и выводы
Список литературы

осаждённых алмазных частиц атомарным водородом на начальных стадиях роста плёнки [33].
Большой плотности центров зародышеобразования (до 1012см~2) можно добиться методом ионного стимулирования поверхности подложки [5]. Этот способ предварительной обработки подложки используют главным образом при росте плёнки методом ПГФО. При ионном стимулировании подложки на неё осаждают
алмазоподобную плёнку при концентрациях метана больших, чем при росте (3-20%) и пониженной, по сравнению с ростовой, температуре подложки (300-700°С). К подложке прикладывают отрицательное смещение от -70 до -300 В относительно плазменного разряда [4]. Время предварительной обработки варьируется от 10 мин до 1 часа. В зависимости от параметров ПГФО на подложке в процессе предварительной обработки формируется слой аморфного или алмазоподобного углерода. Бомбардировка растущего слоя углеродосодержащими ионами стимулируют создание в нём дефектов, которые служат центрами зародышеобразования алмаза в процессе роста алмазной плёнки [4]. Таким образом, на подложке, подвергнутой обработке методом ионной стимуляции поверхности, реализуется механизм зародышеобразования на промежуточном слое аморфного или алмазоподобного углерода.
Увеличение плотности центров зародышеобразование также достигается путём нанесения на поверхность подложки слоя графита, толщина которого варьируется от нескольких нанометров до микрона [5].
Переход от гетероэпитаксии к гомоэпитаксии в процессе зародышеобразования достигается путём нанесения на поверхность подложки алмазных частиц -зародышей алмаза [5, 7, 36]. Алмазные частицы наносят методом
электрофоретического осаждение или методом выпаривания основного вещества суспензии. В работах [39, 40] осаждение алмазных частиц размером 0.1-6 мкм осуществлялось электрофорезом, достигнутая при этом плотность алмазных зародышей составляла 109см'2.
В работе [36] алмазная суспензия приготовлялась путём растворения алмазных частиц размером 0.25 мкм в ацетоне. Изготовленная суспензия наносилась на сапфировую подложку. После испарения ацетона поверхность подложки была покрыта слоем алмазных частиц. Затем на ней методом ПГФО была выращена алмазная плёнка. Полученная плёнка оказалась не сплошной и состояла из островков площадью не более 20 мкм2.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.150, запросов: 967