Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
- Автор:
Атаджиков, Какабай
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ашхабад
- Количество страниц:
147 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений | Осинский, Андрей Владимирович | 1998 |
| Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения | Требунских, Сергей Юрьевич | 2006 |
| Размерная модуляция электронной структуры и эффекты сильного электрического поля в ультракоротких углеродных нанотрубках | Тучин, Андрей Витальевич | 2014 |