Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
- Автор:
Атаджиков, Какабай
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ашхабад
- Количество страниц:
147 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей», автор — Атаджиков, Какабай, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ашхабад в 1984 году. Объем работы: 147 c. : ил. Внутренний код товара: 01003433615. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии | Приходько, Олег Владимирович | 2001 |
| Квантовый транспорт в микросужениях и подвешенных квантовых точечных контактах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs | Похабов Дмитрий Александрович | 2018 |
| Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs | Власов, Юрий Николаевич | 2012 |