Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
- Автор:
Атаджиков, Какабай
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ашхабад
- Количество страниц:
147 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния | Супрунов, Владимир Владимирович | 1999 |
| Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs | Стародубцев, Александр Александрович | 2006 |
| Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии | Гумаров, Габдрауф Габдрашитович | 2001 |