Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
- Автор:
Тимошнев, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя», автор — Тимошнев, Сергей Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2011 году. Объем работы: 148 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005109848. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии | Варавин, Василий Семенович | 2001 |
| Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком | Румянцев, Александр Владимирович | 2018 |
| Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями | Чиненков, Максим Юрьевич | 2009 |