Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
- Автор:
Тимошнев, Сергей Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур | Номоконов, Дмитрий Владиленович | 2007 |
| Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях | Ромашко, Лариса Николаевна | 2001 |
| Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов | Ушаков, Виктор Валентинович | 1985 |