Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами

• Автор: Бакаров, Асхат Климович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Список сокращений

Список обозначений

Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи

§ 1.1. Структуры сдвумерным электронным газом

§ 1.2. Транспортные свойства двумерного электронного газа

в классических магнитных полях

§ 1.3. Влияние морфологии гетерограниц на анизотропию

транспортных свойств двумерного электронного газа

Постановка задачи

Глава 2. Методика эксперимента

§ 2.1. Ростовая установка и технология изготовления образцов

§ 2.2. Характеризация поверхности сканирующей
зондовой микроскопией
2.2.1. Полуконтактная топография
2.2.2. Сканирующая емкостная микроскопия
2.2.3. Анализ представления поверхности,
полученного сканирующей микроскопией
§ 2.3. Методика магнетотранспортных измерений
Глава 3. Влияние условий роста на морфологию поверхности
исследуемых структур
§ 3.1. Морфология поверхности образцов
§ 3.2. Распределение поверхностной локальной ёмкости
Основные результаты и выводы главы
Глава 4. Магнетотраспортные свойства двумерных электронов в ОаАэ квантовых ямах с А1АзЛЗаАз
сверхрешеточными барьерами
§ 4.1. Анизотропия транспорта двумерного электронного газа в СаАз квантовых ямах с А1АзЛЗаАз
сверхрешеточными барьерами
§ 4.2. Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления
двумерного электронного газа в СаАв квантовых ямах
с корругированными гетерограницами
§ 4.3. Квазиклассическое отрицательное
магнетосопротивление двумерного электронного газа
Основные результаты и выводы главы
Заключение
Список литературы
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ АСМ - атомно-силовая микроскопия
АСУ ТП - автоматизированная система управления технологическим процессом
ДБЭО - дифракция быстрых электронов на отражение
ДМЭ -дифракция медленных электронов
ДЭГ - двумерный электронный газ
КПСР - короткопериодная сверхрешетка
МИ - молекулярный источник
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия
МС - магнетосопротивление
НП - нагреватель подложки
ПС - поверхностная структура
СЛГС -селективно-легированная гетероструктура

2.2.2. Сканирующая емкостная микроскопия
Сканирующая емкостная микроскопия - получение распределения локальной поверхностной электрической емкости в системе проводящий образец - проводящее острие [57, 58].
Если кантилевер и образец изготовлены из проводящего электричество материала, то прикладывая между ними постоянное U0 и переменное U, -sin( гда электрическая энергия, запасенная в конденсаторе, будет равна Е
этом сила, которая будет действовать на кантилевер, равна: Fz =- = -—-и2
5Z 2 5Z
Полное напряжение между образцом и кантилевером равно U = {U0- ■ (Vo -<р(х> Л)2 + 'ui^ + (Ц. “ у))■ ui ■ sin(®Л • cos(2®t)
дС 8Z '
Видно, что сила на удвоенной частоте возбуждающего сигнала равна
Ег = — -и}-со5(2(»г)- — ,
2 4 1 v ' дг

т.е. сила изменяется только из-за изменения производной

Емкость системы кантилевер - образец С складывается из двух емкостей, включенных последовательно - емкости зазора кантилевер - поверхность Сг и собственно локальной поверхностной емкости образца Схг и равна соответственно