Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами

• Автор: Сизов, Сергей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 128 с. : ил.

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ
ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА МП'ДП
1.1. Электростатические характеристики МП'ДП гетероструктур
1.1.1. Распределение потенциала в монокристаллических полупроводниковых слоях при толщинах, сравнимых с дебаевской длиной экранирования
1.1.2. Электростатические модели многослойных структур на базе системы диэлектрик-полупроводник
1.1.3. Модель идеальной МП'ДП структуры
1.2. Влияние локализованных зарядов в диэлектрике и в слое П'
на электростатические характеристики МП'ДП структуры
1.2.1. Влияние фиксированного заряда вД
1.2.2. Влияние пограничных состояний
1.3. Получение пленок полупроводниковых соединений методами термического напыления в открытом и квазизамкнутом объемах
1.3.1. Напыление в "открытом объеме"
1.3.2. Получение пленок Ga2Se3 в квазизамкнутом объеме
Цели и задачи
ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК Ga2Se3 И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ме-Ga2Se3 - Si ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ И ВАРЬИРОВАНИИ МЕТАЛЛА КОНТАКТА
2.1. Получение пленок селенида галлия в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена
2.2. Механизм устойчивости к облучению у-квантами полевых

гетероструктур типа МДП на основе кремния
2.3. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики гетероструктур Ме - Оа?Зе3 - Зі с различными металлическими
контактами
Выводы
ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ МП'ДП СТРУКТУРЫ С УЧЕТОМ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП’ И ЦЕНТРОВ
ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДА В И И НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА П'Д
3.1. Математическая модель и алгоритм расчета ВЧ С - V характеристик
3.2. Влияние центров локализации заряда на границе П'Д на электростатические характеристики МП'ДП структур
3.3. Влияние контактной разности потенциалов на электростатические характеристики МП'ДП структуры
3.4. ВЧ С-Г характеристики МП'ДП структур с центрами локализации заряда и с контактной разностью потенциалов МП'
Выводы
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП' НА ЗАРЯДОВЫЕ СОСТОЯНИЯ ЦЕНТРОВ В ГГ И ИХ УЧАСТИЕ В ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДОВ ИЗ ПОДЛОЖКИ П В МП'(Д)П СТРУКТУРЕ
4.1. Определение сродства к электрону для Са2Зе3 из исследования внутренней фотоэмиссии в гетероструктуре Оа2Зе3
- (ЗЮ^і
4.2. Энергетическая диаграмма гетероструктуры Ме - Оа2Зе3 -(ЗЮх)Зі и туннельный механизм участия центров локализации заряда Єа2Зе3 в ПЭС кремния
4.3. ВЧ С-У характеристики гетероструктуры Ме - Са2Зе3 -(БіО^Зі на основе 5/р-типа

Выводы
Основные выводы и результаты
Литература

2.2. Механизм устойчивости к облучению у-квантами полевых гетероструктур типа МДП на основе кремния.
Высокая радиационная стойкость соединений со стехиометрическими вакансиями [15,55,76], в значительной степени стимулирует изучение условий формирования элементов микроэлектроники на основе этих материалов. Однако, в конкретной гетероструктуре, наряду с радиационно-стойким соединением А"'В1'1 всегда присутствуют элементы из традиционно используемых полупроводниковых и диэлектрических материалов, реагирующих на радиационные воздействия повышением плотности дефектов, проявляющихся в электрических характеристиках гетероструктур [77-80]. В [16-19,81] показано, что тонкие пленки Оа^е^, сформированные на поверхности кремния в квазизамкнутом объеме по методике, предложенной в работах [73-75], удовлетворяют требованиям, предъявляемым к подзатворному слою полевой гетероструктуры типа МП'П, а вольт-фарадные С(У) характеристики полученной таким способом слоистой системы А1-Оа28ег81 отвечают модели структуры типа МДП. В работах [19,81] предложен механизм встраивания ПЭС в кремний на границе гетеропереходов БЮ2-81 и Оа28ез~81, состоящий в выделении у поверхности кремния комплексов 510,„ (т ~ 3 4) в результате
температурной обработки подложки при Т ~ 1070 К, соответствующей максимальной температуре технологического, процесса формирования слоя селенида галлия. В данной работе изучается вклад этих комплексов в чувствительность границ раздела 5102-51 (п - типа) и Оа28ез-81 (п - типа) к облучению у - квантами [82-83].
Облучение гетероструктур А 1-8Ю2-81 (п - типа) и А1-Скь8е2г81 (п - типа) проводилось от источника Со60 с энергией 1,25 МэВ в пассивном режиме в диапазоне доз облучения 0 - 107 Р. Распределение плотности состояний по энергии получалось из анализа частотных зависимостей дифференциальной проводимости в диапазоне частот тестового сигнала 101-106Гцв диапазоне