Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Каданцев, Алексей Васильевич
01.04.10
Кандидатская
2006
Воронеж
148 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
I. 1. Радиационное дефектообразование в МДП-структурах на основе
кремния и арсенида галлия
1.2. Стационарные методы исследования параметров МДП-струк-
I. 3. Нестационарные методы исследования параметров МДП- структур
I. 4. Методы исследования пространственного распределения объёмного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур
Цели и задачи
ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СПЕКТР ГЛУБОКИХ
УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
II. 1. Автоматизированный БЬТБ-спектрометр
II. 2. Эффект радиационной аннигиляции дефектов в диодах Шоттки
на кремнии и арсениде галлия
И. 3. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр глубоких
уровней кристаллов арсенида галлия
Выводы к главе II
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЙ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
III. 1. Автоматизированный комплекс для исследования радиационных
дефектов в тестовых структурах МДП интегральных схем
III. 2. Исследование радиационного дефектообразования в МДП-структурах
III. 3. Эффект образования внеэлектродного инверсионного слоя в облученных МДП-структурах
Выводы к главе III
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАДИАЦИОННОГО ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПО ТОКАМ ВНУТРЕННЕЙ ФОТОЭМИССИИ
IV. 1. Методика определения пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры
IV. 2. Автоматизированная установка для фотоэмиссионных исследований в МДП-структурах
IV. 3. Экспериментальное определение пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры
Выводы к главе IV
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
Актуальность темы.
Исследование дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах и многослойных структурах на основе полупроводников является одним из основных направлений физики полупроводников. Постоянная потребность в таких исследованиях связана с разработкой новых полупроводниковых материалов и приборных структур на их основе для элементной базы твердотельной электроники.
Основные проблемы, возникающие при анализе, интерпретации и моделировании формирования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников (структурах типа металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник), обусловлены тем, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров исследуемых структур являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Эти проблемы могут быть разрешены только при комплексном исследовании, обеспечивающем возможность независимого контроля и разделения процессов образования дефектов в полупроводниках, диэлектриках и на границах их раздела. Комплексный подход к исследованию дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников подразумевает совместное использование набора прецизионных электрофизических методов исследования дефектообразования в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях и границах раздела полупроводник-диэлектрик в исследуемых структурах.
Необходимость решения указанных проблем определяет актуальность разработки комплекса прецизионных электрофизических методов исследования дефектов с глубокими уровнями в слоях и на границах раздела структур типа металл-полупроводник (МП) и металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), включая создание универсального прецизионного измерительного оборудова-
Источник
питания
Блок
управления
нагревателем
ІВМ совместимый компьютер
> > 1 г
Блок сопряжения с компьютером
Частотомер
—г-;
Формирователь импульсов ТТЬ
Автогенератор
Сх МИ—
Изм. ячейка
Криостат
Усилитель ЭДС термопары
Рис. 5. Функциональная схема автоматизированного СЬТБ-спектрометра.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод | Василевский, Константин Валентинович | 2002 |
Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями | Нахабин, Андрей Вадимович | 1984 |
Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией | Седов, Александр Викторович | 2005 |