Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников

• Автор: Каданцев, Алексей Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 148 с. : ил.

ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

I. 1. Радиационное дефектообразование в МДП-структурах на основе

кремния и арсенида галлия

1.2. Стационарные методы исследования параметров МДП-струк-

I. 3. Нестационарные методы исследования параметров МДП- структур

I. 4. Методы исследования пространственного распределения объёмного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур

Цели и задачи

ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СПЕКТР ГЛУБОКИХ

УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

II. 1. Автоматизированный БЬТБ-спектрометр

II. 2. Эффект радиационной аннигиляции дефектов в диодах Шоттки
на кремнии и арсениде галлия
И. 3. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр глубоких
уровней кристаллов арсенида галлия
Выводы к главе II

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЙ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
III. 1. Автоматизированный комплекс для исследования радиационных
дефектов в тестовых структурах МДП интегральных схем
III. 2. Исследование радиационного дефектообразования в МДП-структурах
III. 3. Эффект образования внеэлектродного инверсионного слоя в облученных МДП-структурах
Выводы к главе III
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАДИАЦИОННОГО ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПО ТОКАМ ВНУТРЕННЕЙ ФОТОЭМИССИИ
IV. 1. Методика определения пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры
IV. 2. Автоматизированная установка для фотоэмиссионных исследований в МДП-структурах
IV. 3. Экспериментальное определение пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры
Выводы к главе IV
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Актуальность темы.
Исследование дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах и многослойных структурах на основе полупроводников является одним из основных направлений физики полупроводников. Постоянная потребность в таких исследованиях связана с разработкой новых полупроводниковых материалов и приборных структур на их основе для элементной базы твердотельной электроники.
Основные проблемы, возникающие при анализе, интерпретации и моделировании формирования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников (структурах типа металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник), обусловлены тем, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров исследуемых структур являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Эти проблемы могут быть разрешены только при комплексном исследовании, обеспечивающем возможность независимого контроля и разделения процессов образования дефектов в полупроводниках, диэлектриках и на границах их раздела. Комплексный подход к исследованию дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников подразумевает совместное использование набора прецизионных электрофизических методов исследования дефектообразования в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях и границах раздела полупроводник-диэлектрик в исследуемых структурах.
Необходимость решения указанных проблем определяет актуальность разработки комплекса прецизионных электрофизических методов исследования дефектов с глубокими уровнями в слоях и на границах раздела структур типа металл-полупроводник (МП) и металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), включая создание универсального прецизионного измерительного оборудова-

Источник
питания

Блок
управления
нагревателем
ІВМ совместимый компьютер
> > 1 г
Блок сопряжения с компьютером

Частотомер
—г-;
Формирователь импульсов ТТЬ
Автогенератор

Сх МИ—
Изм. ячейка
Криостат

Усилитель ЭДС термопары
Рис. 5. Функциональная схема автоматизированного СЬТБ-спектрометра.