Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
- Автор:
Каданцев, Алексей Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда | Дусь, Андрей Игоревич | 2010 |
| Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников | Гусейханов, Магомедбаг Кагирович | 1999 |
| Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур | Касаманян, Затик Акопович | 1982 |