Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
- Автор:
Каданцев, Алексей Васильевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
148 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I | Рубиш, Василий Михайлович | 1984 |
| Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана | Кулеманов, Иван Васильевич | 2012 |
| Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник | Тутов, Евгений Евгеньевич | 2008 |