Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния

• Автор: Дмитриев, Валентин Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 164 с. : ил.

Глава 1. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С НЕТРАДИЦИОННАМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ. (Литературный обзор)

1.1. Структуры 8і-НкІ. получение и электрофизические свойства.

1.1.1. Введение.

1.1.2. Способы получения структур Бі-НкІ-затвор.

1.1.3. Энергетическая диаграмма структур Бі-НсІ.

1.1.4. Строение и электрофизические свойства межфазовой границы кремний-Нк1.

1.1.5. Электрофизические объемные свойства пленок Нк1 на кремнии.

1.2. Структуры БГМОХ. Получение и электрофизические свойства.

1.3. Выводы к ГЛАВЕ 1.

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Система электролит-диэлектрик-полупроводник и ее возможности для изучения процессов в структурах кремний-диэлектрик.
2.2. Методы исследования структур кремний-диэлектрик в системе элекгролит-диэлекгрик-полупроводник.

2.2.1. Электрофизические методы исследования.
2.2.2. Статическая и динамическая деградация структур кремний-диэлектрик.
2.3. Определение энергетической диаграммы структур кремний-диэлектрик на основе метода полевых циклов в электролите.
2.4. Исследуемые образцы.
2.5. Выводы к ГЛАВЕ 2.
Глава 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР БІБЮ2, полученных по бімох-технологии.
3.1. Исходное зарядовое состояние БІМОХ-структур.
3.2. Влияние БУФ-облучения на зарядовое состояние структур Бі-БЮ2
3.3. Полевая стабильность структур Бі-БЮ2, полученных по БІМОХ технологии.
3.4. Роль маскирующего окисла в формировании зарядовых свойств БІМОХ структур Бі-БЮ2.
3.5. Энергетическое положение ЭАЦ, ответственных за положительный заряд в БІМОХ структур Бі-Бі02.
3.6. Модель образования и природа ЭАЦ, ответственных за зарядовое состояния БІ МОХ-структур.
3.7. Выводы к ГЛАВЕ 3.

Глава 4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР
КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ (гЮ2, НЮ2, А120з).
4.1. Использование системы ЭДП для исследования структур БІ-НкІ.
4.2. Исходные зарядовые характеристики структур Бі-НкІ.
4.3. Влияние электрических полей на зарядовую стабильность структур Бі-НкІ.
4.4. Влияние БУФ-облучения на зарядовую стабильность структур Бі-НкІ.
4.5. Энергетические диаграммы структур Бі-НкІ.
4.6. Электрически активные центры в структурах Бі-НкІ.
4.7. Выводы к ГЛАВЕ 4.
Глава 5. ДИНАМИЧЕСКИЕ ПОЛЕВЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА
СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК.
5.1. Влияние динамического полевого воздействия на зарядовые свойства структур Бі-Бі02.
5.2. Влияние динамического полевого воздействия на зарядовые свойства структур Бі-НкІ.
5.3. Выводы к ГЛАВЕ 5.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА.

эквивалентное значение поля) так чтобы ее значение переводило полевое воздействие из области ЕЗ в область Е4. После этого проводилось сравнение между переменным и постоянным полевым воздействием на образец.
2.3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ДИАГРАММЫ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-ДИЭЛЕКТРИК НА ОСНОВЕ МЕТОДА ПОЛЕВЫХ ЦИКЛОВ В ЭЛЕКТРОЛИТЕ
Одними из важнейших характеристик структур полупроводник -диэлектрик (ДП) являются ширина запрещенной зоны диэлектрика (Е£) и величина потенциального барьера для электронов на границе полупроводник - диэлектрик (фс), которые полностью определяют энергетическую диаграмму ДП - структуры и, следовательно, характер протекающих в ней электронных процессов. Для определения указанных характеристик использовались методы фотоинжекции и фотопроводимости в области вакуумного ультрафиолета [77]. Реализация этих методов требует сложного спектроскопического оборудования и является достаточно сложной экспериментальной задачей. Успешное использование данных методов позволило с высокой точностью установить энергетическую диаграмму для структур 81-8102 (фс =4,25 ± 0,05 эВ и Е§ = 8,9 ± 0,1 эВ), которая сохраняется вплоть до толщины окисного слоя ~1 нм [46]. Однако использование данных методов для определения энергетических диаграмм кремниевых структур с другими диэлектрическими слоями встречает ряд трудностей, связанных,