Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)

• Автор: Кашерининов, Петр Георгиевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 143 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение
Глава 1. Оптические регистрирующие среды на полупроводниковых структурах для записи и обработки изображений в современной технике.
1.1 Регистрирующие среды на MIS-структурах с толстым слоем диэлектрика на фоторефрактивных кристаллах
1.2 Регистрирующие среды на MIS структурах с жидким кристаллом в качестве диэлектрика
1.3. Регистрирующие среды на эффекте оптической бистабильности
в полупроводниковых структурах
1.4 Выводы
Глава 2. Быстрая запись изображений на зарядах свободных фотоносителей на M(I)S-структурах с наноразмерным слоем диэлектрика (ТІ), (М(ТІ)З-структурах)
2.1 Механизмы записи изображений на зарядах свободных фотоносителей в М(Т1)8-структурах.
2.2. Методика измерения пространственно- временного распределения напряженности электрического поля в M(TI)S(TI)M -структурах на электрооптических кристаллах (CdTe, GaAs) при освещении.
2.3 Установка для измерения пространственно-временного распределения напряженности электрического поля в кристалле М(Т1)5-структур при освещении.
2.4 Распределение напряженности электрического поля в М(Т1)5(Т1)М-структурах на высокоомных “чистых” и “компенсированных” электрооптических кристаллах при освещении
2.5 Методика расчета фототоков в М(Т1)5(Т1)М-структурах при

известном распределении напряженности электрического поля в кристалле Е(х4).
2.6 Выводы
Глава 3. Фотоэлектрические характеристики М(Т1)8(Т1)М)-структур на высокоомных кристаллах СсПГе.
3.1 Фотоэлектрические характеристики (М(Т1)8(Т1)М)- структур на высокоомных «чистых» кристаллах СсГГе с малой концентрацией примесных центров (М(<1013см"3)
3.2 Фотоэлектрические характеристики (М(Т1)8(Т1)М)- структур на «компенсированных» кристаллах СсГГе с высокой концентрацией примесных центров (Н>1015см'3)
3.3 Определение механизмов протекания фототоков в (М(Т1)8(Т1)М)-структурах на «компенсированных» кристаллах СсГГе путем измерения термостимулированных токов (ТСТ) после дозированного освещения структур.
3.4. Выводы
Глава 4. Оптические регистрирующие среды на п-р(Т1)М-
структурах (СсГГе)
4.1. Распределение напряженности электрического поля в п-р(Т1)М-структурах на высокоомных ’’чистых” кристаллах СсГГе (1г(<1013см‘
3) при освещении.
4.2 Считывание записанных изображений в регистрирующих средах на п-р(Т1)М-структурах.
4.2.1 Расчет величины фототока от считывающего светового потока при считывании изображений
4.2.2 Результаты экспериментов по считыванию записанных изображений в п-р(Т1)М-наноструктурах.
4.3. Выводы.
Глава 5 Фотонные ключи для цифровых оптических вычислителей

на п-р(Т1)М-структурах на электрооптических кристаллах (СбТе, ваАв)
5.1. Принципы работы фотонных ключей на п-р(Т1)М- структурах
5.2 Фотонные ключи на п-р(Т1)М-структурах на высокоомных ’’чистых“ кристаллах (СсГГе).
5.3 Фотонные ключи на п-р(Т1)М-структурах на
’’компенсированных” кристаллах СсГГе (Мг>1015 спГ3)
5.4 Фотонные ключи на п-р(Т1)М-структурах на
’’компенсированных” кристаллах ваАь (Н>1015 сш'3)
5.5 Выводы
Глава 6. Фотодетекторы для записи изображений на п-р(Т1)М-структурах.
6.1 Фотодетекторы с оптически управляемой областью
фоточувствительности на п-р(Т1)М-структурах.
6.2 Фотодетекторы для измерения и сравнения сигналов
изображений
6.3 Оптоэлектронные корреляторы изображений некогерентного света на п-р(Т1)М-структурах
6.4. Выводы Заключение Список литературы
Таблица 1. Сравнительные характеристики оптических управляемых транспарантов на двухслойных МТБ-структурах на электро-оптических кристаллах
Тип структуры Чувствительность энергетическая, Дж/см2 Чувствительность. Спектральная область Быстро- действие, цикл/с Максимальный контраст Разрешающая способность, линий/мм Рабочее напряжение, В Литература
М ^-структура на Вт^СЪ (ПРОМ) 2•10~4 0.3-0.45 < 4 ■ НГ2 1000:1 5-7 5000-7000 [3,4,6,7]
мдж-жк В^гБЮзо 5 -10"7 0.3-0.45 (1-3)-10-’ 100:1 250 100 [6,8,11,12,14]
мдм-жк ваАв Ш"8 0.5—0.9 (1-3) • 10-3 100:1 -20 100 [6.7]