Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Автор:
Кашерининов, Петр Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками | Дзядух, Станислав Михайлович | 2010 |
| Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении | Половинкин, В.Г. | 1984 |
| Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур | Чайка, Александр Николаевич | 1999 |