Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Автор:
Кашерининов, Петр Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое | Лелак, Ярослав | 1985 |
| Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия | Гварджаладзе, Лили Константиновна | 1985 |
| Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой | Ахкубеков, Александр Эдуардович | 2010 |