Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Автор:
Кашерининов, Петр Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров | Дроздова, Илга Анатольевна | 1992 |
| Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния | Тысченко, Ида Евгеньевна | 2015 |
| Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента | Сачков, Виктор Анатольевич | 2011 |