Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Автор:
Кашерининов, Петр Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания | Апполонов, Сергей Владимирович | 2005 |
| Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия | Литвинов, Валентин Вадимович | 1985 |
| Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении | Емельянова, Татьяна Геннадьевна | 1998 |