Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Автор:
Светухина, Ольга Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями | Нахабин, Андрей Вадимович | 1984 |
| Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках | Коровкин, Михаил Владимирович | 1998 |
| Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости | Комаров, Евгений Павлович | 2002 |