Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Автор:
Светухина, Ольга Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия», автор — Светухина, Ольга Сергеевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ульяновск в 2004 году. Объем работы: 152 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003297658. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором | Кузнецов, Сергей Викторович | 2001 |
| Получение и физические свойства полупроводниковых соединений системы Cu-Fe-S | Гавриленко, Андрей Николаевич | 2014 |
| Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами | Рембеза, Екатерина Станиславовна | 2006 |