Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Автор:
Светухина, Ольга Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ | Харламов, Фёдор Владимирович | 2009 |
| Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами | Давыдов, Денис Викторович | 2003 |
| Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур | Куликов, Олег Николаевич | 2012 |