Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Автор:
Светухина, Ольга Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды : характеристики и использование для контроля загрязнения воды | Шамирзаев, Владимир Тимурович | 2016 |
| Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах | Старчук, Александр Сергеевич | 2006 |
| Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек | Школьник, Алексей Сергеевич | 2006 |