Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Автор:
Светухина, Ольга Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами | Давыдов, Денис Викторович | 2003 |
| Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний | Набок, Алексей Васильевич | 1984 |
| Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия | Криворотов, Николай Павлович | 2002 |