Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Пашаев, Хафиз Мир Джалал оглы
01.04.10
Докторская
1984
Баку
241 c. : ил
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО РАССЕЯНИЯ В КРИСТАЛЛЕ И ТЕМПЕРАТУРНОЕ ПОВЕДЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ
§ I. Введение
§ 2, Общие соотношения
§ 3. Электросопротивление идеального металла
§ 4. Теплосопротивление идеального металла
§ 5. Влияние неидеальности кристалла на температурную зависимость кинетических коэффициентов
§ 6. Температурная зависимость коэффициента Холла
§ 7. Температурная зависимость коэффициента РигиЛедюка в металлах
§ 8. Энергетическая и угловая структуры неравновесной электронной функции распределения. Роль N и
процессов рассеяния электронов
§ 9. Микроконтактная функция электрон-фононного взаимодействия
ГЛАВА 2. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОГО ИМПЕДАНСА В ПРОСТЫХ МЕТАЛЛАХ В РЕЖИМЕ АНОМАЛЬНОГО
СКИН-ЭФФЕКТА
§ I. Введение
§ 2. Общие соотношения и вывод формулы для импеданса
§ 3. Температурная зависимость
§ 4. Влияние примесной динамической разупорядочен-
ности на температурную зависимость поверхностного импеданса
§ 5. Сравнение с экспериментом
ГЛАВА 3. ДИНАМИКА ФЕРРОМАГНИТНОГО КРИСТАЛЛА С
ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ
§ I. Введение
§ 2. Гриновская функция примесного ферромагнетика
§ 3. Функция плотности частот примесного ферромагнетика
§ 4. Намагниченность примесного атома
ГЛАВА 4. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ МЕТАЛЛАХ
§ I. Введение
§ 2. Общие соотношения
§ 3. Электросопротивление и теплосопротивление регулярного магнитного металла
§ 4. Влияние примесной деформации магнонного спектра на электронную проводимость
§ 5. Электросопротивление и теплосопротивление примесного магнитного металла при низких температурах
§ 6. Роль квазилокальной частоты
§ 7. Упругое рассеяние на примесях и изотропизация
электронного распределения
§ 8. Сравнение с экспериментом
ГЛАВА 5. ТЕОРИЯ ПРИМЕСНОГО ФЕРРОМАГНИТНОГО МЕТАЛЛА
В ПРИБЛИЖЕНИИ МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОЛЯ
§ I. Эффективный гамильтониан
§ 2. Намагниченность
§ 3. Вероятность рассеяния электрона магнитной
системой
§ 4. Электросопротивление
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
робно экспериментально изучены особенности температурного и концентрационного поведения электросопротивления металлов, обсуждены причины отклонения от правила Маттиссена (см. обзоры /69, 70/ ).
С определенностью можно сделать вывод о том, что основной причиной наблюденных аномалий в является анизотропный характер электронного рассеяния в кристалле. К сожалению, систематические исследования зависимости теплосопротивления металлов от Т и С , особенно в области низких концентраций дефектов не столь многочисленны. Однако имеющиеся результаты экспериментальных работ позволяют все же выявить наличие аномальной концентрационной зависимости у электронного теплосопротивления металла, проявляющегося обычно в зависимости от С коэффициента Ь в классическом члене ВТ '. Здесь в первую очередь надо обратить внимание на работу Ньюрока и Максфидда /71/, которые специально измеряли зависимость В(с) для калия. Весь характер обнаруженной зависимости находится в хорошем качественном согласии с результатами, описанными в предыдущем разделе. Предсказываемое теорией уменьшение коэффициента В при снижении концентрации дефектов наблюдалось в работах Вайта по Ад. /72/ и Аи /73/, Розенберга по , Сс1 и РЬ /74/ и Холма по 9>п /75/. Что касается отклонения от правила Маттиссена при низких температурах, то здесь можно сослаться на измерения теплосопротивления в Си , выполненные Поувелем И др. /76/ для двух образцов различной чистоты. Масштаб отклонения по порядку величины близок к найденному в настоящей работе.
В заключение добавим, что в настоящее время, когда для целого ряда металлов удается получить образцы высокой чистоты с известной концентрацией примесей, представило бы существенный интерес измерение концентрационной зависимости теплосопротивления в широком интервале температур с возможностью выявления, в частности, пика на кривой ДМ от Т
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I | Рубиш, Василий Михайлович | 1984 |
Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs | Черкашин, Николай Анатольевич | 2002 |
Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe | Сидоров, Георгий Юрьевич | 2011 |