Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Автор:
Хан Мен Ук, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
143 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9», автор — Хан Мен Ук, 0, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Баку в 1984 году. Объем работы: 143 c. : ил. Внутренний код товара: 01003432745. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств | Лундин, Всеволод Владимирович | 1998 |
| Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик | Черноуцан, Кирилл Алексеевич | 2000 |
| Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния | Курило, Оксана Васильевна | 2005 |