Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Автор:
Хан Мен Ук, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
143 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62 | Гусейнов, Самир Саиб Оглы | 1990 |
| Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния | Степина Наталья Петровна | 2017 |
| К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах | Горный, Игорь Викторович | 1998 |