Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Автор:
Хан Мен Ук, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
143 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. | Неустроев, Ефим Петрович | 2000 |
| Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах | Григорьев, Леонид Владимирович | 2008 |
| Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов | Радчук, Наталия Борисовна | 2005 |