Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
- Автор:
Хан Мен Ук, 0
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
143 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP | Тулашвили, Эремия Вахтангович | 1984 |
| Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением | Марков, Кирилл Александрович | 2002 |
| Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе | Чалдышев, Владимир Викторович | 1984 |