Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
- Автор:
Дусь, Андрей Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния | Дмитриев, Валентин Александрович | 2005 |
| Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs | Дижур, Сергей Евгеньевич | 2006 |
| Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) | Матецкий, Андрей Владимирович | 2012 |