Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем

• Автор: Милёхин, Александр Германович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 329 с. : ил.

СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ:

а0 - постоянная решетки с - скорость света в вакууме

3- глубина проникновения локализованной моды в соседний слой

е - заряд электрона

е - диэлектрическая постоянная

£■(©) - диэлектрическая функция

Е? - ширина запрещенной зоны

£,Х.£}У и еа - компоненты тензора деформаций соответственно в направлении [100], [010] и [001] еа - высокочастотная диэлектрическая постоянная Ьт - матричный элемент кулоновского взаимодействия М- масса атома т - эффективная масса п - показатель преломления N - трехмерная плотность электронов и, - двумерная плотность электронов и - смещение атомов и - скорость звука р - плотность материала
А,, Б,, - силы осцилляторов поперечных и продольных локализованных мод (ою - частота продольного оптического фонона тТ0 - частота поперечного оптического фонона
0.р1 - частота внутриподзонных плазменных колебаний - частота межподзонных плазменных колебаний А - постоянная Планка

R - тензор комбинационного рассеяния света
КРС- комбинационное рассеяние света
ИК- инфракрасный
ACM- атомно-силовая микроскопия
ВРЭМ- высокоразрегцающая электронная микроскопия
СТМ- сканирующая туннельная микроскопия
ДБЭ- дифракция быстрых электронов
МЛЭ- молекулярно-лучевая эпитаксия
МНПВО- многократное нарушенное полное внутреннее отражение
СР- сверхрешетка
КТ- квантовая точка
МС- монослой
СС- смачивающий слой
ПЗС- прибор с зарядовой связью
CCD- (charge coupled device) матрица ПЗС
LA- (longitudinal acoustic) продольный акустический
LO- (longitudinal optical) продольный оптический
ТА- (transverse acoustic) поперечный акустический
ТО- (transverse optical) поперечный оптический
IF- (interface) интерфейсный
SO- (surface optical) поверхностный оптический
2D- (two dimensional) двумерный

Глава 1. Фононы в слоистых полупроводниковых структурах:
комбинационное рассеяние света и инфракрасная спектроскопия
1.1. Фононы в полупроводниковых сверхрешетках
1.1.1. Модель линейной цепочки атомов
1.1.2. Влияние переходного слоя на гетерограницах
1.1.3. Влияние механических напряжений
1.1.4. Модель упругого континуума:
свертка акустических фононов
1.2. Макроскопическая модель диэлектрического континуума
1.2.1. Сверхрешетки
1.2.2. Квантовые проволоки
1.2.3. Квантовые точки
1.3. Комбинационное рассеяние света на фононах в полупроводниковых
структурах
1.3.1. Основные принципы комбинационного рассеяния света в кристаллах
1.3.2. Правила отбора для КРС
1.4. Инфракрасная спектроскопия слоистых полупроводниковых структур
1.4.1. Модель высокотемпературного бондинга
1.4.2. Свойства поверхностного оксида кремния
Выводы к Главе 1
Глава 2. Методика эксперимента 8
2.1. Принцип работы Фурье-спектрометра Вгикег №8-113У

Частота/ см'1
Рис. 1.5. Спектр комбинационного рассеяния свернутыми ЬА фононами СР (СаАз)15/(А1о.зОа0.7А5)з [17,47]. На вставке показана дисперсия ЬА фононов, рассчитанная по модели Рытова, в сравнении с экспериментальными данными (точки). Стрелки указывают положение частот свернутых ЬА фононов, соответствующих периоду СР, определенному методом рентгеновской дифракции.