Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов

• Автор: Чаплыгин, Алексей Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Курск
• Количество страниц: 117 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ХМП - химико-механическая полировка

ВАХ - вольт-амперная характеристика

РЭМ - растровый электронный микроскоп

ФП - ЖК - фотопроводник - жидкий кристалл

ТП - технологический процесс

ЦЦПК - циклоди-п-ксилилен

МДП - металл-диэлектрик-полупроводник

ПВМС - пространственно-временной модулятор света

ФХЭ - фотохромный эффект

АЧХ - амплитудно-частотная характеристика

ЭК - электронный контакт
УФ - ультрафиолет
ОПЗ - область пространственного заряда М - металл
ПРОМ - Pockels Readout Modulator ПРИЗ - преобразователь изображений ФП - фотопроводник ЖК - жидкий кристалл ПХ - переходная характеристика ABC - амплитудно-временной спектр

I АНАЛИЗ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СИЛЛЕНИТОВ КАК ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
1.1 Свойства приповерхностных областей кристаллов силленитов и границ раздела силленит - электрод
1.1.1 Свойства поверхности твердых тел
1.1.2 Границы раздела металл - силленит
1.2 Структура и свойства кристаллов силленитов
1.2.1 Физико-химические свойства кристаллов силленитов
1.2.2 Контактные явления в силленитах
1.2.3 Спектральные характеристики поглощения в кристаллах силленитов
1.2.4 Фотохромный эффект и фотохимические процессы в фоточувствительных структурах на основе кристаллов силленитов
1.3 Особенности технологии изготовления фоточувствительных
структур на основе кристаллов силленитов
1.4 Выводы
II РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ИЗМЕНЕНИЯ ФОТОТОКА В КРИСТАЛЛАХ СИЛЛЕНИТОВ
2.1 Технические требования к экспериментальной установке для исследования кинетики изменения фототока в кристаллах силленитов
2.2 Экспериментальная установка для исследования кинетики изменения фототока в кристаллах силленитов при фотоактивации
2.3 Экспериментальная установка для фотохимической обработки кристаллов силленитов
2.4 Методики изготовления экспериментальных образцов и
проведения исследований
2.5 Аналитическое описание экспериментальных кинетических зависимостей фототока в кристаллах силленитов с химико-механически полированной поверхностью
III ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ПРОЦЕССЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДОВ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ОКСИДНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА
3.1 Оценка влияния нарушенного слоя поверхности на процессы пространственного распределения зарядов в кристалле силленита
3.2 Разработка механизма фотохимических процессов, протекающих в приповерхностных областях кристалла силленита при фотоактивации
3.3 Анализ влияния оптического возбуждения на процессы
перестройки внутренней структуры кристалла силленита
3.4 Аналитическое описание процессов пространственного распределения зарядов в кристалле силленита с химико-механически полированной поверхностью при фотоактивации

прозрачной пленки оксида индия, напыленной на кварцевое стекло, пропускающее ультрафиолетовое излучение с очень малыми потерями интенсивности. При этом контакт прижимного электрода к кристаллу силленита осуществлялся посредством инертного к силлениту электролита (глицерина). В данном случае наблюдаются меньшие амплитуды снимаемого сигнала, что обусловлено особенностями изготовления экспериментальных ячеек. Отмеченные особенности влияют только на амплитуды сигналов при сохранении его формы и амплитудно-временных параметров. Применение прижимного электрода описанной конфигурации было обусловлено тем, что в этом случае исключаются диффузионные процессы взаимодействия напыленного электрода с приповерхностной областью кристалла силленита, что в свою очередь будет сказываться на физико-химических свойствах границы раздела электрод-кристалл силленита.
Тонкие высокоадгезионные пленки 1п203 : 8п на кристалле силленита были получены методом магнетронного распыления мишени состава 95% 1п + 5% Бп.
Перед напылением тонких пленок кристалл силленита обезжиривался сначала в ацетоне, а затем кипятился в толуоле. Исследования процессов активации кристаллов силленитов в растворах кислот выявили сильное разрушение его приповерхностных областей [84]. Поэтому активация поверхности кристалла силленита в растворах кислот не проводилась, чтобы предотвратить разрушение его приповерхностных областей.