Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
- Автор:
Сивакова, Ксения Петровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Самара
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях | Ромашко, Лариса Николаевна | 2001 |
| Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2002 |
| Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах | Зибик, Евгений Анатольевич | 2001 |