Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
- Автор:
Сивакова, Ксения Петровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Самара
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках | Петров, Дмитрий Викторович | 2010 |
| Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств | Сизов, Дмитрий Сергеевич | 2006 |
| Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник | Чучева, Галина Викторовна | 2009 |