Самодифракция и нелинейно-оптические свойства экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS

• Автор: Смирнов, Александр Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 130 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Свойства экситонов в полупроводниковых квантовых точках (обзор литературы)
§1.1. Экситоны в полупроводниковых квантовых точках Сс18е/2п
§ 1.2. Особенности процессов релаксации и рекомбинации возбужденных
носителей зарядов в квантовых точках Сй8е/7п
§ 1.3. Эффект заполнения состояний при резонансном однофотонном
возбуждении экситонов в квантовых точках Сс18е/7п
§§ 1.3.1. Процесс насыщения поглощения в квантовых точках в рамках
двухуровневой модели
§§ 1.3.2. Влияние тонкой структуры основного экситонного перехода
на эффект заполнения состояний в квантовых точках СйБе^пБ
§ 1.4. Штарковский сдвиг экситонного поглощения в квантовых точках
С<18е/7.п
§ 1.5. Метод наведенных динамических дифракционных решеток для
исследования нелинейно-оптических явлений в полупроводниках
§ 1.6. Применение коллоидных квантовых точек Сс18е/7,п
Глава 2. Особенности самодифракции при резонансном однофотонном возбуждении экситонов в квантовых точках Сс18е/2п8 двумя
пересекающимися ультракороткими лазерными лучами
§ 2.1. Спектры пропускания и спектры возбуждения фотолюминесценции
исследуемых образцов коллоидных квантовых точек СйБе/гпБ
§§2.1.1. Спектры пропускания коллоидных КТ Сё8е/7п
§§ 2.1.2 Установка для измерения спектров фотолюминесценции и
спектров возбуждения фотолюминесценции
§§ 2.1.3. Спектры возбуждения фотолюминесценции исследуемых образцов КТ Сс18е/7п
§§ 2.1.4. Распределение исследуемых образцов КТ СбБе/ТпБ по
размерам
§ 2.2. Самодифракция на наведенной дифракционной решетке при однофотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых
точках СйБе/ТлЗ двумя лучами лазера
§§ 2.2.1. Установка для изучения особенностей самодифракции двух лазерных лучей на наведенной дифракционной решетке в коллоидном растворе
квантовых точек СбБе/ТлЗ
§§ 2.2.2. Самодифракция двух лазерных лучей на наведенной
дифракционной решетке в коллоидных квантовых точках СйБе/ТлБ
§ 2.3. Особенности самодифракции лазерного луча на наведенной диафрагме в коллоидных квантовых точках С(18е/7п8 при резонансном однофотонном возбуждении экситонов, сопровождающей самодифракцию на
наведенной дифракционной решетке
§§ 2.3.1. Самодифракция лазерного луча на наведенной диафрагме в
коллоидных квантовых точках Сс18е/2п
§§ 2.3.2. Зависимость пропускания коллоидных квантовых точек
Сй8е/7п8 от энергии возбуждающих импульсов
Глава 3. Особенности самодифракции ультракоротких импульсов лазера на двухфотонно возбуждённой дифракционной решётке в
коллоидных квантовых точках Сй8е/2п
§ 3.1. Двухфотонное поглощение в квантовых точках Сй8е/2п8 при
резонансном возбуждении основного экситонного перехода
§ 3.2. Экспериментальная установка для установления особенностей самодифракции на наведенной дифракционной решетке в коллоидных квантовых
точках Сй8е/2п8 при двухфотонном возбуждении экситонов
§ 3.3. Особенности самодифракции на наведенной дифракционной решетке при двухфотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках СйБе/ТпБ двумя лучами лазера при изменении уровня возбуждения
Глава 4. Особенности самодифракции трех пересекающихся ультракоротких лазерных лучей на двумерной динамической дифракционной решетке при резонансном однофотонном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках Сйве/гпв
§ 4.1. Взаимодействие трех пересекающихся ультракоротких лазерных
лучей в нелинейной оптической среде
§ 4.2. Схема экспериментальной установки
§ 4.3. Особенности самодифракции на динамической двумерной
дифракционной решетке в коллоидных квантовых точках СйБе/ТпБ
§§ 4.3.1. Самодифракция трех взаимодействующих лазерных лучей на
динамической двумерной дифракционной решетке
§§ 4.3.2. Углы распространения самодифрагированных лучей на
наведенной двумерной решетке
§ 4.4. Время релаксации возбужденных экситонов в коллоидных
квантовых точках СйБе^пБ
Заключение
Благодарности
Список литературы

может быть локализован на поверхности, ядро оказывается без носителя заряда, но в присутствии наведенного электрического поля (Рис. 1.4а). Если КТ обзавелась такими зарядами на поверхности, то при последующем поглощении фотона и образовании экситона и захвате носителя на поверхность, заряд, локализованный на поверхности, может вернуться обратно в ядро КТ и рекомбинировать с делокализованным носителем заряда (Рис. 1.46), или под действием кулоновского взаимодействия может измениться пространственная организация локализованных носителей заряда на поверхности КТ (Рис.1.4в).
Рис. 1.4. Схема трех возможных механизмов образования поверхностных диполей [69]. а. Электрон и дырка захватываются на поверхность КТ, не взаимодействуя с поверхностными зарядами, б. Электрон из ядра КТ захватывается на поверхность, а один из поверхностных зарядов переходит в ядро и рекомбинирует с дыркой, в. Электрон, побывав на поверхности, перераспределяет заряды, а сам возвращается в ядро и рекомбинирует с дыркой. Состояние On обозначает, что КТ изчучает свет, Off- не излучает.