Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Автор:
Логинова, Инга Дмитриевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
116 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках», автор — Логинова, Инга Дмитриевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Ленинград в 1984 году. Объем работы: 116 c. : ил. Внутренний код товара: 01003432847. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия | Мустафа Назар Селман | 1999 |
| Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах | Давыдов, Рашит Ренатович | 2002 |
| Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов | Любинский, Илья Семенович | 2006 |