Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Автор:
Логинова, Инга Дмитриевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
116 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка | Сабитов, Олег Юрьевич | 2009 |
| Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x | Исабекова, Тамила Илахидиновна | 1999 |
| Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3 | Садыков, Марат Фердинантович | 2002 |