Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Автор:
Логинова, Инга Дмитриевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
116 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния | Пархоменко, Юрий Николаевич | 2000 |
| Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах | Медведев, Павел Георгиевич | 2006 |
| Исследование линейных и нелинейных оптических свойств скандобората церия | Мартынов, Александр Алексеевич | 1998 |