Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Автор:
Логинова, Инга Дмитриевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
116 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности нелинейного поглощения при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS | Козлова Мария Владимировна | 2016 |
| Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния | Павликов, Александр Владимирович | 2000 |
| Изучение низкоразмерных структур металлов (Au, In и Mn) на поверхности кремния | Денисов, Никита Витальевич | 2012 |