Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Автор:
Логинова, Инга Дмитриевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
116 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3 | Курбанов, Элмхан Мадад оглы | 1984 |
| Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния | Плюснин, Николай Иннокентьевич | 2000 |
| Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур | Касаманян, Затик Акопович | 1982 |