Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации

• Автор: Ишимов, Виктор Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Тирасполь
• Количество страниц: 151 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ

Введение
I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
1.1. Структура и физико-химические свойства ХСП
(АззБзД- (АвгБезД-х ХСП
1.2.Особенности энергетического спектра электронов
в ХСП
1.3. Влияние температуры на энергетический спектр электронов в ХСП
1.4.Влияние примесей свойства ХСП
1.5.Влияние дефектов на оптические свойства ХСП
1.5.1.Влияние пор на оптические свойства ХСП
1.5.2.Роль дефектов, связанных с нарушением зарядового состояния атомов в соединениях
1.6.Применение ХСП для записи оптической информации
ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
II. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ОСНОВНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ХСП СИСТЕМЫ АззБз-АБаБез НА ЛАВСАНОВЫХ ПОДЛОЖКАХ РУЛОННОГО ТИПА
2.1.Методика получения пленок ХСП (АэгБзЦДАзгБезД.х вакуумным термическим напылением из испарителя
типа ячейки Гюнтера
2.2.Технологические особенности получения пленок ХСП (АэгБзДДАзгБезД.х методом дискретного

испарения
2.3. Кинетические особенности испарения (Аз28з)х-(Аз28е3)і.х из ячейки квазизамкнутого типа с регулируемой плотностью молекулярного пара
2.4. Методика измерения стационарных электрофизических параметров и характеристик пленок (Аэ^з)*-(Аз28єз)і_х
2.5. Методика измерения электрофизических параметров пленок ХСП в электрофотографическом режиме
2.6. Методика нанесения и характеристики подстилающего электрода для пленок ХСП (Аз28з)х-(Аз28ез)і_х
на лавсановых подложках рулонного типа
III. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК (Аз283)х-(Аз28єз)і.х
3.1. Влияние материала подстилающего электрода на спектральную фотопроводимость пленок (Аз28з)х-(Аз28є3)і.х
3.2. Влияние температуры подложки и длительности отжига на электропроводность пленок (Аз28з)х'(Аз28е3)і_х
3.3. Влияние состава на фоточувствительность и прозрачность пленок (Аз28з)х-(Аз28е3)і_х
3.4. Влияние скорости напыления на электрофизические свойства пленок (Аз28з)х(Аз28ез)1.х
IV. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФТПН С ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ СЛОЯМИ (Аз28з)х-(Аз28е3)і.х
4.1. Фотоэлектрические свойства носителей записи оптической информации с инжекционными слоями Аз28ез

4.2. Методика записи и считывания оптической информации и фотографические характеристики ФТПН на основе фотополимера КЭМ:ОМА с инжекционным слоем А828е
4.3. Фотографические характеристики ФТПН на основе фотополимера КЭМ:ОМА с инжекционным слоем Аз28е
4.4. Исследование голографических характеристик ФТПН с ин-жекционными слоями Аз28е
V. ПРИМЕНЕНИЕ СЛОЕВ ХСП ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (А8283)х (А828Е3)і.х ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ
5.1 Особенности формирования рельефных изображений на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников
5.2. Изучение зависимости дифракционной эффективности голограмм, полученных на пленках ХСП Аз283 методом фотоструктурных изменений
5.3. Исследование импульсной записи голограмм в зеленой области спектра с помощью ФТПН на основе слоев (А8283)о,7'(А828е3)о!
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ
РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

науки и техники. В этих носителях широко применяются бинарные ХСП Аз28з, Аз28е3, 8Ь283, 8Ь28е3 и др., а также различные твердые растворы на их основе.
Интерес к этим материалам обусловлен их физикохимическими свойствами, такими как низкая проводимость, высокая фоточувствительность в широком спектральном интервале, технологичность их получения, сравнительно низкая стоимость и др. Эти материалы обеспечили создание первых реально работающих двухслойных фототермопластических носителей. Выбор полупроводникового материала для ФТПН определяется следующими условиями: фоточувствительный слой должен
иметь высокое удельное сопротивление (р~1012-г1014 Ом-см), сравнимое с сопротивлением полимерного диэлектрического слоя; обладать необходимой спектральной фоточувствительностью [2]. Этим требованиям наиболее полно удовлетворяют стеклообразные халькогенидные полупроводники: сульфид
мышьяка, селенид мышьяка, а также твердые растворы на их основе.
Аморфный сульфид мышьяка является одним из самых высокоомных халькогенидных стеклообразных полупроводников (удельное сопротивление ~ 1015 Ом-см). Фоточувствительность тонких пленок АэгБз (кратность изменения сопротивления) достигает 50 при освещенности 250 лк. Спектральная характеристика фоточувствительности обладает максимумом вблизи длины волны А » 0,5 мкм. Отсюда следует, что в качестве когерентного источника для записи изображения или голограмм на пленках Аз283 наиболее подходящим является аргоновый лазер (Аген = 0,488 мкм). Для считывания записанной информации можно ис-