Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
- Автор:
Усикова, Анна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
119 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками | Чербунин, Роман Викторович | 2010 |
| Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники | Федоров, Вячеслав Александрович | 1996 |
| Фотоэлектрические и оптические свойства структур на основе аморфных и кристаллических кремниевых наночастиц | Кен Ольга Сергеевна | 2017 |