Поверхностная миграционная нестабильность МДП - структур

• Автор: Славова, Магдалена Ламбова
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 136 c. : ил

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Общие представления физики ВДП-структур

1.1.1. Область пространственного заряда на поверхности полупроводника

1.1.2. Основные характеристики ВДЕЕ-структуры

1.1.3. ЩЩ-транзистор

1.2. Влияние ионной миграции на функционирование полупроводниковых приборов

1.2.1. Биполярные приборы

1.2.2. Униполярные приборы

1.2.3. Способы борьбы с поверхностной миграционной нестабильностью ЩП-структур

1.2.3.а. Способы борьбы с нежелательными последствиями поверхностной миграции

ионов
1.2.3.б. Способы предотвращения поверхностной
ионной миграции
1.3. Математические модели поверхностной миграционной нестабильности
1.3.1. Миграция ионов при произвольном соотношении концентрации индуцированных и начальных ионов
1.3.2. Диффузионная модель поверхностной миграционной нестабильности
1.3.3. Дрейфовая модель поверхностной миграционной нестабильности

1.4. Экспериментальное исследование поверхностной миграционной нестабильности ВДП-структур
1.4.1. Экспериментальное наблюдение ионной миграции
1.4.2. Методы определения параметров ионного дрейфа
1.5. Природа мигрирующего заряда
1.5.1. Гидратный покров окисла
1.5.2. Протонные процессы в ЩП-сиотеме
1.5.3. Химически-чувотвительные приборы
1.6. Анализ литературы и постановка задачи
Глава II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА
2.1. Метод исследования. Тестовые структуры
2.2. Метод определения значения потенциала поверхности диэлектрика
2.3. Измерительная установка
2.4. Стандартизация условий измерения
Глава III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ
МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В СРЕДАХ С ПОВЫШЕННОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ
3.1. Кинетика распространения потенциала по поверхности диэлектрического слоя ВДЛ-структуры
3.2. Стационарное распределение потенциала по поверхности диэлектрического слоя ЩЩ-отруктуры
3.3. Термические эффекты в поверхностной миграционной неотабильности ЩЩ-структур
3.4. О возможности прогнозирования кинетики распространения потенциала по поверхности диэлектрика

Глава ЗУ. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ НЕСТАБИЛЬНОСТИ В СРЕДАХ С НИЗКОЙ ВЛАЖНОСТЬЮ
4.1. Обоснование методики уширения инверсионного канала
4.1.1. О кинетике распространения потенциала
по поверхности диэлектрика
4.1.2. Ток инверсионного канала ВДП-транзистора
4.1.3. Экспериментальное апробирование методики
Глава V. О СПОСОБАХ СНИЖЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИГРАЦИОННОЙ
НЕСТАБИЛЬНОСТИ
5.1. Изотопный эффект в поверхностной миграционной нестабильности
5.2. О влиянии адсорбции паров пиридина на поверхностную подвижность протонов
5.3. Снижение поверхностной подвижности протонов на поверхности St02 в результате облучения низкоэнергетическими электронами
5.3.1. Зависимость темпа миграции ионов от энергии электронов
5.3.2. Зависимость темпа миграции ионов от
дозы облучения
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

4. Изучить возможность прогнозирования кинетики распространения потенциала по поверхности диэлектрика на основе диффузионно-дрейфовой модели, поверхностной миграционной нестабильности.
5. Исследовать новые технологические способы с геттерирую-щим и гидрофобизирующим эффектом, с целью предотвращения поверхностной миграционной нестабильности.