Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремния
- Автор:
Пузанов, Дмитрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
143 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ | Кеслер, Валерий Геннадьевич | 2005 |
| Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами. | Фещенко, Игорь Сергеевич | 2002 |
| Комплексообразование в кремнии, легированном селеном | Таскин, Алексей Анатольевич | 2000 |