Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах

• Автор: Софронов, Антон Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2010
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 154 с. : ил.

Оглавление
Введение

I Оптические явления, связанные с резонансными состояниями

1 Электролюминесценция в напряженных микроструктурах

р-СаАвІЧ/ОаАв и квантовых ямах л-СаАя/АЮаАя в дальнем инфракрасном диапазоне

1.1 Введение

1.1.1 Деформация и расщепление вырожденных состояний энергетического спектра

1.1.2 Стимулированное дальнее ИК излучение из одноосно деформированного р-Єє

1.1.3 Донорный центр в квантовой яме

1.1.4 Постановка задачи
1.2 Техника эксперимента
1.2.1 Образцы
1.2.2 Экспериментальные установки
1.3 Экспериментальные результаты их обсуждение
1.3.1 Вольт-амперные характеристики
1.3.2 Интегральные характеристики электролюминесценции
1.3.3 Спектральные характеристики электролюминесценции
1.4 Заключение

2 Поглощение и модуляция излучения в структурах с квантовыми ямамир-ОаАв/АЮаАв в среднем инфракрасном диапазоне
2.1 Введение
2.1.1 Размерное квантование валентной зоны
2.1.2 Акцепторный центр в квантовой яме
2.1.3 Постановка задачи
2.2 Техника эксперимента
2.2.1 Образцы
2.2.2 Экспериментальные установки
2.3 Экспериментальные результаты их обсуждение
2.3.1 Равновесная концентрация дырок
2.3.2 Спектры равновесного поглощения
2.3.3 Модуляция поглощения в электрическом поле
2.4 Заключение
II Оптические явления, связанные с возбужденными состояниями
3 Электролюминесценция в структурах с квантовыми ямами р-СаАв/АЮаАв и в эпитаксиальных слоях н-GaN в дальнем инфракрасном диапазоне
3.1 Введение
3.1.1 Дальнее ИК излучение мелких доноров и акцепторов при
пробое примеси электрическим полем
3.1.2 Дальнее ИК излучение мелких доноров в кремнии
3.1.3 Постановка задачи
3.2 Техника эксперимента

3.2.1 Образцы
3.2.2 Экспериментальные установки
3.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение
3.4 Заключение
4 Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками />-Се/8і
4.1 Введение
4.2 Техника эксперимента
4.2.1 Образцы
4.2.2 Экспериментальная установка
4.3 Экспериментальные результаты их обсуждение
Заключение
Список публикаций автора
Литература

Как видно из представленной зависимости, при ширине ямы менее 65 нм состояние 2рг заходит в сплошной спектр первой подзоны и становится квазило-кализованпым.
1.1.4 Постановка задачи
Основной целью исследований, представленых в настоящем разделе, является исследование эмиссии терагерцового излучения в полупроводниковых структурах, обусловленной оптическими переходами носителей заряда с участием резонансных состояний. В качестве объектов исследований выступают (1) напряженные микроструктуры д-ОаАзМЛЗаАз с небольшим рассогласованием постоянных решетки соседних слоев, в которых резонансные состояния акцепторов возникают вследствие расщепления валентной зоны встроенными упругими напряжениями, и (11) структуры с широкими квантовыми ямами п-СаАь/АЮаАя, в которых раезонансные состояния доноров возникают благодаря эффектам размерного квантования. В обоих типах структур предсказывается появление излучения дальнего ИК диапазона в условиях ударной ионизации примесей электрическим полем при низких температурах, обусловленного излучательными переходами носителей из резонансных состояний примесей на основные состояния.