Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Автор:
Пчелинцева, Екатерина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2┤S4 и ZnAl2┤S4 | Попов, Сергей Михайлович | 1994 |
| Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка | Сибатов, Ренат Тимергалиевич | 2007 |
| Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах | Холомина, Татьяна Андреевна | 1999 |