Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Автор:
Пчелинцева, Екатерина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе | Матвеев, Борис Анатольевич | 2010 |
| Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах | Рябцев, Станислав Викторович | 2000 |
| Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии | Джабраилов Тайяр Акбер оглы | 2001 |