Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Автор:
Пчелинцева, Екатерина Сергеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx | Мартяхин, Валерий Александрович | 1987 |
| Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах | Амосова, Лариса Павловна | 1999 |
| Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах | Володин Владимир Алексеевич | 2017 |