Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Автор:
Шоболов, Евгений Львович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
146 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP | Лазаренко Александра Анатольевна | 2020 |
| Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния | Мусаев, Ахмед Магомедович | 2000 |
| Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H | Нальгиева, Мадина Алихановна | 2006 |