Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Автор:
Шоболов, Евгений Львович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
146 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N | Баранов, Артем Игоревич | 2019 |
| Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов | Карзанова, Мария Вадимовна | 2013 |
| Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников | Барыгин, Илья Алексеевич | 2009 |