Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Автор:
Шоболов, Евгений Львович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
146 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов | Демин, Вячеслав Александрович | 2008 |
| Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации | Якимов, Сергей Владимирович | 2005 |
| Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия | Чигинева, Анна Борисовна | 2004 |