Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Автор:
Кудряшов, Владимир Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
112 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами», автор — Кудряшов, Владимир Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2001 году. Объем работы: 112 с. : ил. Внутренний код товара: 01002285037. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств | Ребров, Сергей Анатольевич | 1985 |
| Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото - фторид кальция - кремний (III) | Илларионов, Юрий Юрьевич | 2015 |
| Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si | Синис, Валерий Павлович | 2002 |