Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Автор:
Кудряшов, Владимир Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
112 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов | Карзанова, Мария Вадимовна | 2013 |
| Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях | Паламарчук, А.И. | 1983 |
| Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний | Манцевич, Владимир Николаевич | 2009 |