Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Автор:
Кудряшов, Владимир Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
112 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами», автор — Кудряшов, Владимир Евгеньевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2001 году. Объем работы: 112 с. : ил. Внутренний код товара: 01002285037. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком | Векслер, Михаил Исаакович | 2006 |
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении | Штанько, Виктор Федорович | 2000 |