Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах

• Автор: Погосов, Артур Григорьевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 306 с. : ил.

Список основных обозначений

Глава I. Перенос заряда в мезоскопических проводниках

§ 1.1. Двумерный электронный газ

§ 1.2. Кондактанс баллистического проводника

§ 1.3. Квантовые интерференционные явления

Глава II. Электронный транспорт в периодических решетках антиточек

§ 2.1. Способы изготовления антиточек. Основные особенности электронного магнетотранспорта

§ 2.2. Методика эксперимента

§ 2.3. Транспортные аномалии в решетках пониженной

симметрии

§ 2.4. Электронный магнетотранспорт в шестиугольной

решетке антиточек
§ 2.5. Нелинейные эффекты
§ 2.6. Нелокальные эффекты
§ 2.7. Сдвиг геометрических резонансов в наклонном магнитном поле
§ 2.8. Новая соизмеримая осцилляция в квадратной периодической решетке антиточек
Результаты и выводы главы II

Глава III. Квантовые интерференционные эффекты в решетках антиточек
§ 3.1. Эффекты слабой локализации
§ 3.2. Мезоскопические флуктуации кондактанса
Результаты и выводы главы III
Глава IV. Одиночные электронные бильярды
§ 4.1. Введение
§ 4.2. Методика эксперимента
§ 4.3. Классический магнетотранспорт
§ 4.4. Квантовые интерференционные явления
Результаты и выводы главы IV
Глава V. Слабая локализация и переход метал-диэлектрик в решетках связанных бильярдов
§ 5.1. Введение
§ 5.2. Плотная квадратная решетка антиточек
§ 5.3. Плотная гексагональная решетка антиточек
Результаты и выводы главы V
Глава VI. Термомагнитные явления в электронных бильярдах
§ 6.1. Термоэдс многоконтактного баллистического проводника
§ 6.2. Классические осцилляции термоэдс в двумерной
решетке антиточек

§ 6.3. Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек
Результаты и выводы главы VI
Заключение
Список литературы

тографического радиуса и ширины области обеднения, окружающей антиточку.
Имплантация фокусированным ионным пучком.
Этот метод использовался в работе [17], где с его помощью создавались квадратные решетки антиточек. Двумерный электронный газ (п = 3 • 10" см-2, р. = 300000см2/Вс при Т = 4,2 К) в гетероструктурах ОаАв/АЮаАБ, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, находился на расстоянии 300 нм от поверхности для того, чтобы уменьшить разрушения, производимые имплантированными ионами. Имплантация проводилась однозарядными ионами 71Оа с энергией 150 кэВ. Ток пучка составлял 4,2 пА, типичный размер пятна — 80 нм, а время освещения — 800 нс. Таким образом, каждая антиточка была образована имплантацией около 21 иона йа. После имплантации образцы отжигались при температуре 700°С в течении 1 мин. Недостатком этого метода является сильное ухудшение электронной подвижности (не связанной с рассеянием на антиточках), обусловленное, по-видимому, дополнительными дефектами, вносимыми имплантированными ионами и в промежутках между антиточками.
Электростатическое формирование решетки
Используя голографическую литографию, на поверхности ОаАэ гетероструктуры можно создать периодическую решетку фоторезиста. Подходящей двойной экспозицией можно добиться образования периодической решетки отверстий в фоторезисте после его обработки. Последующее напыление затворного электрода позволяет элек-