Метод расчета и моделирования функциональных схем

• Автор: Шигапов, Зинатулла Гамирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 165 c. : ил

Стр.,
ГЛАВА I. ( ОБЗОР )
§ І.І. Функциональные схемы с объемной связью
§ 1.2. Зарядовая концепция
§ 1.3. Метод заряда для расчета статических и
динамических характеристик в транзисторе
§ 1.4. Модели компонентов для машинного проектирования функциональных схем
Глава II. ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОМЕРНЫХ (ПАССИВНЫХ) ЭЛЕМЕНТОВ.
§ 2.1. Обоснование необходимости модификации
метода заряда
§ 2.2. Анализ диодов с сильнолегированными
базами
§ 2.3. Анализ диодов с высокоомной базой
§ 2.4. Эффект отрицательного дифференциального
сопротивления в диоде Шоттки
§ 2.5. Полупроводниковый прибор - элемент
управляемый градиентом заряда
Глава III. СТАТИСТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДВУМЕРНЫХ (АКТИВНЫХ) ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С ПЛАЗМЕННОЙ' СВЯЗЬЮ
§ 3.1. Функциональное разбиение и модель
функциональных схем с квазидвумерной структурой
§ 3.2. Элемент считывания на модуляционных
транзисторах с плазменной связью

§ 3.3. Статистические и динамические характе-• ристики квазигоризонтального биполярного транзистора
§ 3.4. Статистические и динамические характеристики горизонтальных структур с перехватом тока
§ 3.5. Приборы с плазменной связью на модуляционных транзисторах
ГЛАВА ІУ. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С
ПЛАЗМЕННОЙ СВЯЗЬЮ
§ 4.1. Зарядоуправляемая модель горизонтального
транзистора
§ 4.2. Модель элемента плазменной связи на
модуляционных транзисторах
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Развитие современной электроники требует непрерывного и всестороннего совершенствования электронной аппаратуры: расширения ее функций, повышения быстродействия и надежности в условиях воздействия дестабилизирующих факторов, уменьшения габаритов, веса, стоимости, потребляемой мощности.
Основные трудности современной микроэлектроники, возникающие при решении этих проблем, связаны с проблемой "тирании количеств" компонентов интегральных схем, приводящей к уменьшению их надежности и к снижению выхода годных схем. Появление этой проблемы вызвано, с одной стороны, резким усложнением функций, выполняемых электронной аппаратурой, а с другой - традиционным схемотехническим подходом к ее проектированию, когда расширение функциональных возможностей аппаратуры обеспечивается не за счет более полного использования физических явлений в твердом теле, а лишь за счет увеличения числа компонентов, и в первую очередь транзисторов.
Однако в конце 60-х - начале 70-х годов наметилась тенденция более полного использования объема твердого тела, представляющего собой активную среду, для которой характерно наличие и использование для обработки или хранения информации динамических неоднородностей. Это привело к переходу от интеграции элементов с сосредоточенными функциями к интеграции эффектов и функций, распределенных в объеме. В качестве примера можно привести известные более 20 лет активные элементы с отрицательным внутренним сопротивлением с 5 -образной вольтамперной характеристикой, которые, благодаря наличию внутренней положительной обратной связи, являются простейшими функциональными устройствами,.

Стоком и напряжением), так как П(Х) может определяться как током, так и напряжением полупроводникового прибора. Тем самым можно выразить ВАХ полупроводникового прибора, который, например, представляет собой р-п - переход, инжектирующего или инъектирую-щего неосновные носители при подаче на него напряжения различного V по величине и полярности, и базу, которая характеризуется интегральным параметром р , зависящая от V или I , в виде
функции
которая связывает однозначно внешние параметры I или V с общим зарядом