Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Автор:
Овчаров, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ярославль
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование контактов металл-фосфид галлия и разработка УФ фотоприемников на их основе | Орлова, Татьяна Алексеевна | 1999 |
| Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов | Яременко, Наталья Георгиевна | 2013 |
| Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией | Брагин, Алексей Николаевич | 2003 |