Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Автор:
Овчаров, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ярославль
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления | Аракчеева, Екатерина Михайловна | 2008 |
| Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками | Каштанкин, Илья Александрович | 2006 |
| Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP | Кудрин, Алексей Владимирович | 2009 |