Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках
- Автор:
Овчаров, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Ярославль
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии | Санчищин, Дмитрий Владимирович | 2004 |
| Исследование эффектов переключения и памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов | Алексеева, Людмила Геннадьевна | 2016 |
| Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP | Логинова, Татьяна Николаевна | 1985 |