Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений

• Автор: Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 185 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
§ I. Колебательные спектры сложных полупроводниковых
соединений
§ 2. Методы теоретико-группового анализа колебательных
спектров
§ 3. Лазерная спектроскопия КРС
§ 4. Результаты зкспериментальных исследований колебательных спектров сложных халькогенидных соединений
4.1. Монокристаллы типа А3В^ и А^6
4.2. Системы твердых растворов замещения
4.3. Аморфные халькогенидные соединения
Постановка задачи
Глава II. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В БЛИЖНЕЙ ИК- ОБЛАСТИ СПЕКТРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
§ I. Описание конструкции У/) с, .• Ыо/ь+- лазера и
КР- спектрометра
§ 2. Пркемно-регистрирующая система
§ 3. Методика высокотемпературных и низкотемпературных
измерений
Глава III. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ СЛОИСТЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА
А3В6 И А^6 И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
§ I. Колебательные спектры монокристаллов со структурой
- з - •

§ 2. Высокотемпературный фазовый переход в
монокристаллах
§ 3. Колебательные спектры монокристаллов слоистых
О £
соединений типа А В
3.1. Колебательный спектр слоистого монокристалла

3.2. Колебательный спектр монокристалла 1п5
3.3. Никзотемпературные спектры КРС монокристаллов Т 8 £су Зе2
§ 4. Влияние примесей на колебательные спектры
слоистых соединений
4.1. Влияние примеси серы на колебательный спектр
монокристаллов Тп 5е
4.2. Оптические фононы в твердых растворах
Сто 5Л $Єу Те2 (х+у+2г= і)
ГЛАВА ІУ. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ
ХАЯЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
§ I. Структура стеклообразного селена и стекол на
его основе
§ 2. Структура стекол системы Р- 5е
§ 3. Влияние примеси висмута на структуру и свойства стеклообразного Сге
§ 4. Влияние примеси теллура на структуру и свойства стеклообразного Оеве^
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы.
Среди проблем, выдвигаемых развитием полупроводниковой техники и квантовой оптоэлектроники, особо следует отметить задачи в области полупроводникового материаловедения. Одна из таких задач состоит в получении и широком внедрении в практику приборостроения новых полупроводниковых соединений. Работы в данном направлении отвечают задачам, поставленным перед учеными на ХХУ1 съезде КПСС и в "Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981 - 1985 годы и на период до 1990 года" о дальнейшем изучении композиционных материалов, более полному использованию их свойств [i]
В настоящее время в различных областях полупроводникового приборостроения используются халькогенидные материалы - соединения, в состав которых входят элементы У1 группы Периодической системы Д.И.Менделеева, а именно, сера, селен, теллур. Среди таких материалов можно выделить слоистые соединения типа А4В6 и А^В0, обладающие ярко выраженной анизотропией физических свойств, обусловленных анизотропией строения кристаллической решетки. Основы систематического исследования физико-химических свойств монокристаллов со слоистым типом структуры были заложены в Институте Физики АН Азербайджанской ССР под руководством Г.Б.Абдуллаева, Г.А.Ахундова, Э.Ю.Салаева |*2, 188, 190] . В слоистых кристаллах обнаружена генерация второй гармоники [l89] , кристаллы этого класса вообще обладают большими нелинейными восприимчивостями. Перспективность слоистых материалов в оптоэлектронике в настоящее время не вызывает сомнений. Для использования слоистого кристалла в том или ином приборе необходимы сведения о его структуре, а также данные о возможных изменениях, происходящих

расположенный на хладопроводе. Контроль температуры осуществлялся медно-константановой термопарой.
Для исследований в области температур 4,2 < Т < 300 К использовался гелиевый криостат модели "Утрене", разработанный в институте физики АН УССР (рис. 7). Данная конструкция гелиевого криостата позволяет в широких пределах изменять температуру образца путем изменения потока газообразного гелия.
Точность стабилизации температуры при этом была не более + 0,1 К. Предусмотренное в нижней вертикальной части криостата оптическое окно позволяет работать с ним в геометрии "на просвет".
В заключение заметим, что контроль температуры при помощи термопары может привести к появлению систематической ошибки в несколько градусов, связанной с увеличением температуры образца в расеивающей области за счет поглощения излучения УАа -лазера.
Поэтому исследование температурной зависимости КР-спектров проводилось при минимальной выходной мощности У лазера, при которой еще удается уверенно записывать спектры КР.