Кинетические явления в узкощелевых полупроводниках

• Автор: Шендеровский, Василий Андреевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 362 c. : ил

В в е д е н и е

Глава I. КИНЕТИЧЕСКИЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ В АНИЗОТРОПНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ВО ВНЕШНИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ И ПРОИЗВОЛЬНОМ (КЛАССИЧЕСКОМ) МАГНИТНОМ ПОЛЯХ
1. Введение

2. Кинетические уравнения для электронов и фононов

3. Методы решения кинетического уравнения

4. Выражения компонент вектора плотности тока и потока тепла в произвольном магнитном поле

5. Классификация кинетических коэффициентов

5.1. Определение гальваномагнитных коэффициентов

а) Эффект Холла

б) Магнитосопротивление

5.2. Термомагнитные коэффициенты

а) Эффект Нернста-Эттингсгаузена (Н-Э)
б) Электронная часть теплопроводности
в) Эффект Мадки-Риги-Ледюка (М-Р—Л)
6. Метод суммирования по эллипсоидам
7. Краткое резюме
Глава 2. ГАЛЬВАНО- И ТЕРМОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В АНИЗОТРОПНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ТИПА р-Те
1. Введение
2. Структура валентной зоны и форма изоэнергетических поверхностей

3. Постановка задачи и вычисление компонент тензора б'
4. Вычисление матричных элементов оператора столкновений

а) Рассеяние носителей на оптических колебаниях решетки
б) Примесное рассеяние
в) Междудырочное рассеяние
г) Рассеяние на акустических фононах
5. Тензор электропроводности

6. Компоненты тензора J0 в слабом магнитном поле
а) Методика экспериментальных измерений и обсуждение результатов
б) Концентрационная зависимость компонент тензора
в) Температурная зависимость гальваномагнитных коэффициентов
7. Гальваномагнитные эффекты в сильных магнитных полях
8. Эффект Холла и магнитосопротивление в произвольных (неквантующих) магнитных полях
9. Термомагнитные коэффициенты
10. Температурная зависимость термомагнитных эффектов
11. Полевая зависимость эффектов Н-Э
12. Электронная составляющая теплопроводности теллура
13. Заключение
Глава 3. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В СТРУКТУРНО-НЕСОВЕРШЕННЫХ
ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1. Введение
2. Теория явлений переноса в анизотропных полупроводниках со структурными дефектами
а) Постановка задачи и вычисление электрического тока
б) Определение фурье-компонент потенциалов дефектов
Точечные дефекты

Линейные дефекты
3. Влияние дефектов решетки на явления переноса
Примесные центры
си - краевые дислокации
Гальваномагнитные явления
Эффект Нернста-Эттингсгаузена
4. Зависимость влияния полей дефектов от магнитного поля
5. Краткое резюме
Глава 4. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ СВИНЦА
1. Введение
2. Постановка задачи и методика расчета
3. Подвижность носителей и параметр анизотропии
а) Подвижность носителей в слабых электрических полях
б) Параметр анизотропии
4. Гальваномагнитные эффекты
5. Термоэлектрические эффекты
6. Заключение
Глава 5. МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ В УЗКОЩЕЛЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1. Введение
2. Выражение для подвижности и особенности механизмов
рассеяния
Рассеяние носителей на примесных ионах
Рассеяние на акустических колебаниях решетки
Рассеяние носителей на оптических фононах
Рассеяние на пьезоэлектрическом потенциале
Рассеяние на вакнсиях и примеси металла вН^еиН^Те
3. Параметры кристаллов

н3 - н3 (?>?") = (н*т)
-* 7> 7* — Т> _ I)
где £ ,а Н =
Подставляя (1.69) в (1.40),а затем полученные выражения в (1.67),окончательно находим компоненты вектора плотности тока в лабораторной системе координат.
7. Краткое резюме
На основании изложенного материала и проведенных исследований можно сделать следующие выводы:
1. Теория анизотропного рассеяния была сравнительно хорошо развита для тех механизмов рассеяния носителей тока,которые можно описать в кинетическом уравнении Больцмана введением соответствующих тензоров времен релаксации /2,57-60,61/. В случае,когда доминирующими механизмами являются неупругие и притом анизотропные механизмы рассеяния носителей тока в произвольных магнитных полях соответствующей теории явлений переноса не имелось.
2. Используя вариационный принцип,впервые получены аналитические выражения для кинетических коэффициентов,которые имеют общий характер и могут быть использованы для анализа гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках,металлах и полуметаллах.