Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
- Автор:
Горбовицкий, Борис Моисеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1983
- Место защиты:
Ленинград
- Количество страниц:
129 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ | Харламов, Фёдор Владимирович | 2009 |
| Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов | Сизов, Виктор Сергеевич | 2010 |
| Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств | Солдатенков, Федор Юрьевич | 2001 |