Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда

• Автор: Уманский, Владимир Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 197 c. : ил

Глава I. ИССЛЕДОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ И ДЕФОРМАЦИЙ В ГЕТЕРО-СТРУКТУРАХ (Литературный обзор).
1.1. Методы исследования напряжений и деформаций в гете-роструктурах
1.1.1. Причины деформации гетерокомпозиций
1.1.2. Методы определения упругих напряжений в гетероструктурах
1.1.3. Методы исследования пластической деформации в гетероструктурах
1.2. Электронно-зондовые исследования деформированного
состояния гетероструктур
1.2.1. Применение метода Косселя для исследования кристаллического совершенства гетероструктур
1.2.2. Методы визуализации дефектов полупроводниковых гетероструктур в электронно-зондовом приборе
1.3. Результаты исследования упруго-пластической деформации в гетероструктурах на основе соединений
А^5
1.31. Теоретические модели релаксации упругих напряжений в гетероструктурах
1.3.2. Экспериментальные исследования аккомодации несоответствия постоянных решетки в гетероструктурах на основе соединений А°В
1.4. Выводы и постановка задачи
- 3 -

Глава 2. КОМПЛЕКС МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ГЕТЕРОСТРУКГУР В ЭЛЕКТРОННО -30НД0В0М ПРИБОРЕ.
2.1. Особенности деформированного состояния гетероструктур
2.2. Модели деформированного состояния гетерокомпозийрий
2.3. Применение метода ШРП для определения параметров деформированного состояния гетероструктур
2.3.1. Выбор метода рентгеноструктурных исследований
2.3.2. Определение величины НПР методом ШРП
2.3.3. Точность метода определения величины несоответствия постоянных решетки
2.3.4. Определение параметров деформированного состояния
ГС методом ШРП
2.3.5. Определение НРП свободного (недеформированного ) эпитаксиального слоя и подложки
2.3.6. Реализация метода ШРП в электронно-зондовом приборе и его экспериментальная проверка
2.4. Определение параметров деформированного состояния
ГС в широком интервале температур
2.4.1. Определение различия КТР, термических напряжений
и деформаций в ГС
2.4.2. Реализация метода ШРП в широком интервале температур в электронно-зондовом приборе
2.5. Рентгенотопографические исследования методом ШРП
2.6. Определение распределения постоянной решетки по толщине ГС методом ШРП

2,7. Заключение и выводы
Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕКОТОРЫХ ОСНОВНЫХ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ А*%5.
3.1. Основные кристаллографические параметры материалов полупроводниковых ГС
3.2. Определение постоянной решетки и КТР твердых растворов
А 1х&а1-хР (0 I)
3.3. Определение концентрационной зависимости постоянной решетки твердых растворов
3.3.1. Экспериментальные результаты
3.3.2. Теоретическая модель
3.4. Определение НТР материалов полупроводниковых гетероструктур
Глава 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКГУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ А^5.
4.1. Основные задачи исследований деформированного состояния полупроводниковых ГС
4.2. Типы деформированного состояния ГС
4.3. Результаты исследований деформированного состояния полупроводниковых ГС
4.3.1. Гетероструктуры, имеющие только напряжения несоответствия
4.3.2. Гетерострунтуры в системах МЪ^~ 6аВ^
4.3.3. Гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов

Рис. 2.2 Схема дифракции широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей на монокристалле. 1-плоскость регистрации, 2-электронный зонд, 3-точечный источник рентгеновских лучей, 4-исследуемый монокристалл.