Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
- Автор:
Дорохин, Михаил Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия | Мустафа Назар Селман | 1999 |
| Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты | Полетаев, Николай Константинович | 2006 |
| Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs | Михайлюк Екатерина Андреевна | 2016 |