Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
- Автор:
Дорохин, Михаил Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs | Черкашин, Николай Анатольевич | 2002 |
| Транспортные явления в объёмном Ge и наноструктурах на основе Si, GaAs и InAs, перспективных для генерации ТГц излучения | Папроцкий Станислав Константинович | 2015 |
| Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур | Муманис Халид | 1999 |