Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста

• Автор: Левчук, Богдан Иосифович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 250 c. : ил

1. Кристаллическая структура и дефекты в кристаллах карбида кремния

1.1. Особенности структуры и политипизм кристаллов карбида кремния

1.1.1. Образование политипных структур

карбида кремния

1.1.2. Образование основных политипных структур

карбида кремния

1.2. Дефекты структуры и их связь с условиями роста монокристаллов карбида кремния

2. Методы структурного анализа монокристаллов

карбида кремния

2.1. Политипный анализ кристаллов карбида кремния

2.1.1. Рентгеновский дифрактометрический анализ политипных структур карбида кремния
2.1.2. Электронно-зондовый анализ политипных
структур карбида кремния
2.2. Рентгеновская дифрактометрия монокристаллов карбида кремния
2.2.1. Прецизионное измерение периодов идентичности кристаллической решетки карбида кремния на однокристальном спектрометре
2.2.2. Двухкристальная дифрактометрия монокристаллов карбида кремния
2.2.3. Анализ толщины исследуемой области при рентгеновской дифрактометрии монокристаллов

карбида кремния
2.3. Рентгеновская топография монокристаллов
карбида кремния
2.4. Просвечивающая электронная микроскопия монокристаллов карбида кремния
2.5. Анализ концентрации дефектов упаковки в монокристаллах карбида кремния
2.5.1. Использование точного выражения уравнения интенсивности для исследования дефектов упаковки в 6H-SiC. (Метод аналитического решения точного уравнения интенсивности)
2.5.2. Гармонический анализ формы дифракционного максимума
2.5.3. Экспериментальное определение
дифракционных эффектов
3. Особенности структуры монокристаллов карбида кремния, выращенных в условиях спонтанного зарождения
3.1. Дислокационная структура монокристаллов
карбида кремния, выращенных в УСЗ
3.2. Исследование дефектообразования в монокристаллах карбида кремния, выращенных в УСЗ
3.2.1. Образование дислокаций в базисных плоскостях. Природа разупорядоченных слоев
3.2.2. Образование дислокаций в призматических плоскостях
3.3. Влияние дефектов структуры на политипизм в
кристаллах
4. Дислокационная структура монокристаллов карбида

кремния и ее связь с условиями роста кристаллов на затравках . . 6
4.1. Природа, характер распределения и классификация дефектов структуры в монокристаллах карбида кремния, выращенных при КЗ в направлении [0001]
4.2. Влияние ориентации подложки и разращивания на формирование дислокационной структуры монокристаллов карбида кремния
4.3. Влияние начальной стадии роста на совершенство структуры и политипизм монокристаллов, выращенных при кристаллизации на затравках
4.3.1. Дефекты структуры в переходных областях
затравка - монокристалл карбида кремния
4.3.2. Твердофазные превращения и их роль в формировании структуры при выращивании монокристаллов карбида кремния
4.3.3. Влияние условий выращивания на дефектообразо-вание в начальной стадии роста монокристаллов карбида кремния
4.4. Влияние механической обработки на совершенство структуры подложек карбида кремния
4.5. Влияние кинетических условий синтеза на парметры решетки и совершенство структуры монокристаллов карбида кремния
Заключение
Литература
Приложение
Приложение 2
Приложение 2

собой) интервалы полностью не укладываются в отрезок £/я от 0 до 1, то структура является ромбоэдрической или кубической. В этом случае слойность политипа равна частному от деления единицы на 1/3 часть интервала по оси ^//? , так как в ромбоэдрических политипах индекс /? в соседних отражениях отличается на 3. Иначе: слойность политипа равна числу интервалов, втрое меньших измеряемых, укладывающихся в отрезке б/п от 0 до 1.
В случае сложной смеси политипов желательно измерять Ш-=(б-А) как для рефлексов 101/? , так и для рефлексов 101 ^ . Кроме этого, существенную помощь в разделении рефлексов от различных политипов оказывает сравнение интенсивностей отражений. Измерение интенсивностей и сравнение их с расчетными позволяет определять индексы Жданова неизвестной политипной структуры.
Для послойного дифрактометрического политипного анализа кристаллов £сС , вырезанных в виде пластинок, параллельных плоскости (1010), целесообразно использовать другой интервал 1? : Ъп . Выбор этого интервала определяется меньшим
поглощением рентгеновского излучения, необходимостью регистрации рефлексов только вида 101/? и минимальным интервалом брэгговских углов. В этом случае для излучения 18°10«5
26°30^ Для удобства измерений нижнюю границу в целесо-

образно отодвинуть до 16 20, при котором фиксируется отражение 0002/? . Это отражение более интенсивное, чем 101