Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов

• Автор: Сорокин, Лев Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 420 c. : ил

ГЛАВА I. Собственные точечные дефекты в кремнии
§ 1.1. Модели точечных дефектов в кремнии
1.1.1. Вакансионная модель
1.1.2. Межузельная модель
1.1.3. Комбинированная вакансионно-межузельная модель
§ 1.2. Энтропийный барьер рекомбинации пары вакансия - межузельный атом при высоких температурах
Глава II. Физические основы процессов формирования изображений в просвечивающей электронной
микроскопии
§ 2.1. Динамическая теория дифракции электронов
(волново-оптическая формулировка)
2.1.1. Амплитуда дифрагированной волны
2.1.2. Елоховские волны для идеального и несовершенного кристаллов
§ 2.2. Однолучевая дифракционная электронная микроскопия
2.2.1. Условия применимости приближения одно-лучевой дифракционной электронной микроскопии
2.2.2. Влияние дифракционных условий и местоположения дефекта на однолучевой контраст

С І Р.
Глава III. Новые методические разработки,обусловившие современный уровень исследований
§ 3.1. Получение тонких кристаллов кремния,германия,арсенида галлия и твердых растворов на их основе для просвечивающей электронной микроскопии
3.1.1. Получение тонких кристаллов кремния с помощью фотолитографии и динамического травления
3.1.2. Метод химико-динамического травления .. 643.1.3. Методика приготовления образцов кремния большой площади
§ 3.2. Метод дифракционной микроскопии с оттенением
§ 3.3. Метод дифракционного анализа геликоидельных дислокаций
§ 3.4-. Метод однозначного определения знака вектора Бюргерса произвольной дислокации
Выводы
ГЛАВА ІУ. Дефектообразование в термообработанных кристаллах кремния, выращенных методом
Чохральского
§ 4-.І. Кислород в кремнии и выход годных полупроводниковых приборов
§ 4-.2. Характеристика дефектов,образующихся в результате распада пересыщенного твердого

раствора кислорода в кремнии при высоких
температурах (выше 900°С)
4-.2.1. Распад пересыщенного твердого раствора
при изотермическом отжиге
4.2.2. Модель преципитата и механизм выдавливания дислокационных петель
4.2.3. Моделирование электронно-микроскопических изображений дислокационных конфигураций
4-.2.4. Механизм генерации дефектов упаковки, сопутствующих распаду пересыщенного
твердого раствора
§ 4.3. Характеристика других вторичных дефектов, образующихся в результате распада твердого раствора в системе кремний-кислород.. 14
4-.3.1. Полные призматические дислокационные
петли
4-.3.2. Геликоидальные дислокации
4.3.3. Колонии преципитатов
§4.4. Распад твердого раствора кислорода в дислокационном кремнии
§4.5. Низкотемпературный распад твердого раствора кислорода в кремнии
4.5.1. Стеркнеобразные дефекты, образующиеся
при одноступенчатом отжиге
4.5.2. Трансформация стержнеобразных дефектов
при двухступенчатом отжиге

ния в кристалле (абсорбционный контраст) и условиями разложения плоских волн ф0 и ф3 на блоховские А, и и обратно соответственно на верхней и нижней поверхности кристалла. Амплитуды блоховских волн, порожденных падающей плоской волной фо , определяются начальным положением точки возбуждения на дисперсионной поверхности (рис. 2.26 ).
Преимущественно возбуждается та волна, направление вектора потока энергии которой, определяемое нормалью к ветви дисперсионной поверхности, расположено блине к направлению волнового вектора падающей волны. А положение точки возбуждения на дисперсионной кривой определяется эффективным (локальным) отклонением отражающих плоскостей от брэгговской ориентации и(ъ) , т.е. определяется наклоном отражающих плоскостей на поверхности кристалла, вызываемым упругим полем дислокации. По мере распространения блоховской волны в кристалле локальная ориентация отражающих плоскостей меняется, что отвечает миграции точки возбуждения по дисперсионной кривой до конечного положения, задаваемого наклоном отражающих плоскостей на нижней поверхности пластины кристалла.
Дошедшая до нижней поверхности кристалла слабопоглощаю-щаяся блоховская волна Ьу порождает проходящую и дифрагированную амплитуды фо и фд , амплитуды которых в свою очередь также определяются конечным положением точки возбуждения (т.е. вызываемым дислокацией наклоном отражающих плоскостей на нижней поверхности пластины кристалла). Этот тип контраста обычно называется амплитудным, поскольку он связан не с фазами, а с амплитудами блоховских волн.
Таким образом, контраст изображения в однолучевом прибли-