Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Автор:
Моисеев, Константин Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
322 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства», автор — Моисеев, Константин Дмитриевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2005 году. Объем работы: 322 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003013027. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н | Константинов, Андрей Олегович | 1984 |
| Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия | Гим Гван Дё, 0 | 1984 |
| Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах | Рожанский, Игорь Владимирович | 2016 |