Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Автор:
Моисеев, Константин Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
322 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизика пористого кремния и структур на его основе | Зимин, Сергей Павлович | 2003 |
| Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах | Прокофьев, Алексей Анатольевич | 2003 |
| Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v | Кузьменко, Роман Валентинович | 2002 |