Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- Автор:
Панютин, Евгений Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
132 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков | Красильщиков, Борис Романович | 1984 |
| Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах | Кибис, Олег Васильевич | 1999 |
| Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP | Клочков, Алексей Николаевич | 2015 |