Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- Автор:
Панютин, Евгений Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
132 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка | Сибатов, Ренат Тимергалиевич | 2007 |
| Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе | Чалдышев, Владимир Викторович | 1984 |
| Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах | Авачев, Алексей Петрович | 2007 |