Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- Автор:
Панютин, Евгений Анатольевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
132 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией | Седов, Александр Викторович | 2005 |
| Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках | Коровкин, Михаил Владимирович | 1998 |
| Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) | Яновицкая, Зоя Шмеровна | 2003 |