Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
- Автор:
Голод, Сергей Владиславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
206 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии | Росола, Иван Иосифович | 1984 |
| Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu | Сафонов, Александр Николаевич | 2007 |
| Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si | Смагина, Жанна Викторовна | 2008 |